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[求助] bandgap中Vbe的要求

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发表于 2009-12-15 21:56:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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Razavi的《Design of analog cmos integrated circuit》一书中bandgap, Vbe的温度系数与Vbe本身的大小相关,那么设计Bandgap时Vbe的电压一般设计在多少伏呢?Ie一般为多少uA呢?谢谢指教!
发表于 2009-12-16 00:12:36 | 显示全部楼层
VBE大小与流过其的电流大小有关

电流大小会影响bipolar的beta大小,一般bandgap中的bipolar都是寄生的,所以beta值比较小

一般选择电流可以参考,你的model中beta vs Ie cureve,应该避免beta随Ie剧烈变化的情况

应该选择beta大小不怎么随Ie变化的那段

请参看 gray 的书籍 第四版中page25 page26 的
figure1.15 和figure1.16两张图
发表于 2009-12-16 09:03:35 | 显示全部楼层
gooooooooooooooooood
发表于 2009-12-16 12:24:22 | 显示全部楼层
谢谢2楼
 楼主| 发表于 2009-12-16 22:24:02 | 显示全部楼层
感谢!
发表于 2009-12-18 22:39:36 | 显示全部楼层
谢谢2搂滴~~~
发表于 2010-12-10 23:53:15 | 显示全部楼层
2楼强,BGR中偏置在BJT上面的电流都很小,选择余地并不大。
发表于 2010-12-11 11:36:50 | 显示全部楼层
个人认为几UA~十几UA差不多,I VS V 比较陡的区域就可以,希望指教。
发表于 2013-8-16 22:34:17 | 显示全部楼层
mark!!!!!
发表于 2013-8-17 09:42:37 | 显示全部楼层
big than uA scope is ok
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