bandgap中Vbe的要求

analogworld · 发表于 2009-12-15 21:56:51

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

Razavi的《Design of analog cmos integrated circuit》一书中bandgap, Vbe的温度系数与Vbe本身的大小相关，那么设计Bandgap时Vbe的电压一般设计在多少伏呢？Ie一般为多少uA呢？谢谢指教！

jluhzw · 发表于 2009-12-16 00:12:36

VBE大小与流过其的电流大小有关

电流大小会影响bipolar的beta大小，一般bandgap中的bipolar都是寄生的，所以beta值比较小

一般选择电流可以参考，你的model中beta vs Ie cureve，应该避免beta随Ie剧烈变化的情况

应该选择beta大小不怎么随Ie变化的那段

请参看 gray 的书籍第四版中page25 page26 的
figure1.15 和figure1.16两张图

sjxu007 · 发表于 2009-12-16 09:03:35

gooooooooooooooooood

chaowei · 发表于 2009-12-16 12:24:22

谢谢2楼

analogworld · 发表于 2009-12-16 22:24:02

感谢！

zl19851987 · 发表于 2009-12-18 22:39:36

谢谢2搂滴~~~

xxxpstt121 · 发表于 2010-12-10 23:53:15

2楼强，BGR中偏置在BJT上面的电流都很小，选择余地并不大。

fj198462 · 发表于 2010-12-11 11:36:50

个人认为几UA~十几UA差不多，I VS V 比较陡的区域就可以，希望指教。

aimu_wl · 发表于 2013-8-16 22:34:17

mark!!!!!

chenxiaoming · 发表于 2013-8-17 09:42:37

big than uA scope is ok

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[求助] bandgap中Vbe的要求

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

浏览过的版块

站长推荐 /1