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请问同步DCDC使用时有击穿现象是什么原因

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发表于 2009-11-29 22:10:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问各位,DCDC同步电源芯片在使用过程中总出现VIN SW 击穿现象,或者SW GND击穿现象是什么原因?
发表于 2009-11-30 18:53:27 | 显示全部楼层
如果开关管在转换过程中不能及时打开,我想源漏会被击穿
发表于 2010-8-2 15:47:19 | 显示全部楼层
1.在DC-DC中,VIN和SW之间有一个diode,如果击穿,我怀疑就是process的高压MOS的performance.
2. 如果在SW和GND之间有击穿,能再解释清楚一点吗?一般情况我们会在SW点做高压的ESD保护。如果你做的是同步的DC-DC,low side的NMOS的VDS太大了吧
发表于 2010-8-9 18:17:50 | 显示全部楼层
我碰到的情况就是某些条件下,SW的over voltage protection起来,上下两开关管都关闭,此时电感电流依然存在,且电流不会突变,只能从SW点拉电流从而使SW变负电位,上面管子VDS超出范围而被击穿.
至于下面管子击穿,同上楼SW有ESD保护,且SW比VIN过冲时的幅值不是很大.所以还没碰过下面管子击穿的.
发表于 2012-1-19 10:47:16 | 显示全部楼层
增加dead time,保证所有corner下pmos,nmos开关均不导通时间2n~10n,可避免馈通
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