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楼主: 323217588

电阻选择的疑问

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发表于 2010-5-2 15:34:02 | 显示全部楼层
好贴 学习了
发表于 2010-5-3 08:59:29 | 显示全部楼层



不得不更正一下:

建议采用non-silicide N+(P+) poly,而不是silicide。

详见半导体工艺。
发表于 2010-5-3 09:13:56 | 显示全部楼层
nwell 电阻的变化量太大,一般就用non silicide poly电阻,silicidepoly电阻方块阻值好像比较小吧
发表于 2010-5-3 23:37:07 | 显示全部楼层
non silicide poly电阻,silicidepoly电阻方块阻值?
发表于 2010-5-4 10:42:28 | 显示全部楼层
ddddddddddddd
发表于 2010-5-4 12:09:46 | 显示全部楼层
In the logic process. I think you can use p+-ploy. it is better.
And W=X um .. It depend  on your circuit.
If I care match circuit , I always use W> 1.5um. For you reference
发表于 2010-5-4 14:15:39 | 显示全部楼层
很受教啊。。学习啦
发表于 2010-5-8 15:27:36 | 显示全部楼层
HRpoly 可否当esd电阻用?
发表于 2010-5-16 17:10:54 | 显示全部楼层
1# 323217588


each resistor has different temp coeff

and different sheet resistance

the area and the accurary is a trade off
发表于 2010-5-16 23:10:17 | 显示全部楼层
非关键地方考虑用大方块的,减少面积
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