请问谁有耐600V高压的功率MOSFET的spice model

xxl04120184 · 发表于 2010-12-17 10:07:50

回复 2# terranxxd

terranxxd，请问：是哪个陈老师呀？你有没有这个模型呢? 谢谢。

kevin_gao · 发表于 2011-6-15 13:45:23

HV MOS的model怎么建？
哪位知道吗？

ter2003 · 发表于 2011-7-24 22:35:28

如果是mosfet的话建议看看IXYS公司的 IXFB60N80P 这就是600V 100A的管子目前是IXYS公司可以说是最大功率的了

shah.abid · 发表于 2012-6-20 22:44:33

do not know?

aili965849539 · 发表于 2014-1-22 12:53:16

同样啊，我不需要耐高压的，只需要低导通阻抗的power mosfet 模型，请问在哪里下载啊？

aili965849539 · 发表于 2014-2-9 19:29:57

回复 7# xjf20091003

请教一下，这个网站上下的models文件为什么在Linux系统上打开后全部是乱码啊？有什么方法可以解决这个问题啊？

zaelste · 发表于 2014-8-2 13:50:46

IGBT 模型角度的一些考虑:

A. Modeling: 高压器件常用的模型有BSIM/PSP+HV subcircuit 以及Hisim-HV

B-从量测(characterization)角度来讲: 到100V都是属于标准的测量, 没有什么问题
100V以上到1700V器件有以下几个问题要考虑
  1.1: 最大的门极工作电压是多少
  1.2: 器件最大工作电流什么范围
  1.3: 在晶圆上测量还是在包装后(PACKAGE)测量
  1.4: 有脉冲还是没有脉冲测量(建议有脉冲测量)来消除HEATING EFFECT

C- 可靠性角度:
  1.1 HTRB high temperature reverse bias
  1.2 HTGB high temperature gate bias
  1.3 intemittent operating life (IOL)

IGBT 模型难度不大, 关键如何获得准确无误的测试结果.



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