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发表于 2009-11-13 08:59:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

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没办法发图。。我想搭一个放大器,仿真用cascode的第一级时(差分输入管是NMOS),我将NMOS管的衬底接上源级,忽略了体效应,仿真的结果和我手算的结果相差不大。
但是NMOS管衬底接GND时,由于我NMOS管比较大,故电容比较大,体效应明显,现在差分输入管无法饱和,调节管子尺寸的时候,效果也不明显,希望达人指点迷津
3Q
发表于 2009-11-13 09:14:47 | 显示全部楼层


没办法发图。。我想搭一个放大器,仿真用cascode的第一级时(差分输入管是NMOS),我将NMOS管的衬底接上源级,忽略了体效应,仿真的结果和我手算的结果相差不大。
但是NMOS管衬底接GND时,由于我NMOS管比较大,故电 ...
zhahu002 发表于 2009-11-13 08:59



公式里没看出来体效应跟电容有关系啊。那个Cox是固定值啊
 楼主| 发表于 2009-11-13 09:22:12 | 显示全部楼层
哦,呵呵
弄错了
和Vsb有关系~那样说只能调管子尺寸了?
 楼主| 发表于 2009-11-13 15:46:54 | 显示全部楼层
我刚将有体效应和没体效应的2个单级Cascode电路进行仿真对比了下(过载电压和偏置电压和电流都保持一致);
存在体效应的MOS管的W/L需要设置的非常非常大~~而且W/L小一点的时候,输入管就进入线性区。。
我的理解是有体效应变化的应该只是阈值电压变大了一些,但是为什么实现相同的功能的时候,有体效应的W/L尺寸是应该增大,但是我仿出来需要增大的太大了,有体效应和没体效应的差分输入管的尺寸比大概有100倍。。
结果是应该这样还是我电路哪有问题?
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