请问同步整流的自举电容的充电问题

shuipihu

同步整流buck型，用自举电容来提供upper side 的驱动，在upper side 关断时，用个5v接二极管给自举电容充电。
请问，
1.二极管用肖特基是不是高温下漏电严重？若用NPN短接的话，反向Vebo太小，不能用。
2.是不是二极管都会出现漏电？
3.除了二极管接法还有什么其他的接法吗？
我用的是华虹NEC工艺.

dayikimo

為何會高溫哩???

跟Power MOS連在一起嗎??

基本上schottky diode 基本上不太會發熱, 原因是Vth很低, 加上充電電流很小

看datasheet就知道boost trap capacitor都很小

所以基本上不用考慮diode高溫特性

漏電嚴重???應該是你的耐壓算錯了, 導致打穿了diode

postme

为何要担心漏电流呢，快恢复二极管就好了，漏电流引起的功耗是可以接受的

batelab

通常不会高温，漏电也不严重。

如果 由于某些特殊原因 schottky diode 上压降 太大，
可以用native PMOS做个ideal diode.

chudong

我是刚接触这方面，能给个电路图么？

shuipihu

1.之所以担心漏电问题是怕当电容boost上去了之后，若漏电严重的话，会把电容的电放完，从而驱动管会出错。
2.芯片不是有个温度范围吗？一般是-40--125度的，-40---85度的
3.这个肖特基二极管是做在芯片内部的，给自举电容充电的，不是外置的非同步的快速肖特基。
4.二级管中的正向充电电流约100mA。
5.接法就是LDO 的5V输出接个肖特基的二极管的正端，负端为pad脚BS引出接SW。
6.请问一下说的native PMOS是个什么意思？什么又是ideal diode ，理想二极管做仿真模型吗？我是要投片的...

batelab

原帖由 shuipihu 于 2009-10-5 00:22 发表

                               
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6.请问一下说的native PMOS是个什么意思？什么又是ideal diode ，理想二极管做仿真模型吗？我是要投片的...

on-chip ideal diode 是指用comparator驱动的PMOS.   
Comparator 比较PMOS两端的电压: V_source  < V_drain, 把gate拉到ground; V_source > V_drain, 把gate拉到source。
对于你的电路，drain 连 LDO 的5V输出， source连 boost cap正极。 (注意 body diode的方向 就好了)

PMOS 做的ideal diode， 随温度的变化 通常比 Schottky 要好。
在大多数工艺中，压降也比Schottky 的小。 不清楚 华虹NEC工艺 中有没有native PMOS。
一般implanted PMOS的  threshold voltage 很大，Rds(on)很大。 所以做ideal diode, 通常要用 hreshold voltage 和Rds(on)相对小一些的native pmos。

不知道你用的是华虹的哪一个平台？

[ 本帖最后由 batelab 于 2009-10-5 08:58 编辑 ]

shuipihu

我咨询过了，我们没有native pmos，native nmos...

batnet

on-chip ideal diode 是指用comparator驱动的PMOS.   
Comparator 比较PMOS两端的电压: V_source  < V_drain, 把gate拉到ground; V_source > V_drain, 把gate拉到source。
对于你的电路，drain 连 LDO 的5V输 ...
batelab 发表于 2009-10-5 08:49

                               
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batelab 很有见地！

ytyash2

不管是schottky还是PMOS, 都要耐高压的 (对12V输入的IC, 一般需要30-40V).你得查下你的process有没有这种device. 100mA的充电电流可能不需要, Idc=Qg*fs, 一般control FET都不大, 所以一般DC电流要求不高,需要peak电流能承受高一点,具体数值要看Qg和diode/pfet的Ron.