关于ESD的设计的问题

220070960 · 发表于 2009-9-26 14:23:10

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用MOS管短接成二极管，反偏在Vdd和信号输入，gnd和信号输入之间，问下这个MOS管的W/L怎么设计，一般在设计这种ESD时有什么指标？

analog_man · 发表于 2009-9-26 15:52:48

对于GGNMOS和GGPMOS, 一般FOUNDARY都会提供相关ESD尺寸要求. 在没有特殊要求的情况下,可以按此来设计尺寸;
其实,还有比较重要的是版图,尤其要防止非一致开启的问题.

analog_man

davidxi1982 · 发表于 2009-9-26 21:39:39

能否再详细的解释一下怎么样是非一致开启？布版的时候注意些什么呢

grant6168 · 发表于 2009-9-27 07:03:11

頂各位了.
機構解比較快

220070960 · 发表于 2009-9-27 09:54:21

原帖由 analog_man 于 2009-9-26 15:52 发表

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对于GGNMOS和GGPMOS, 一般FOUNDARY都会提供相关ESD尺寸要求. 在没有特殊要求的情况下,可以按此来设计尺寸; 其实,还有比较重要的是版图,尤其要防止非一致开启的问题. analog_man

详细解释下啊

analog_man · 发表于 2009-9-27 12:42:28

我们都知道，GGNMOS的开启，是靠寄生电阻的压降使得寄生三极管开启。这样，对于multi-finger 结构，中间的ggmos一般会先开启。如果设计不合理，会导致在整个esd过程中，只有很少几个finger开启，会发现其esd很弱。
相应的办法很多，每个foundary都会有办法。一般调整各个finger的gd size, 或者中间加pick-up等等。

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