求教开关电源电路的仿真问题

hehejiuaixiao

我最近自己搭了个BUCK DCDC电路来仿真，输出电流是 1A 左右工艺是 TSMC .35工艺

反相器级联驱动功率MOS管（功率管集成的）的号时候，级联几级比较合适：
3级吗？
逐级增大的话，那增大的幅度，就是前后相连两级的增大幅度，
有些什么要点和注意的东西吗？
O(∩_∩)O谢谢

[ 本帖最后由 hehejiuaixiao 于 2009-9-8 11:08 编辑 ]

自找苦吃YNHE

mosfet输入电容问题，你有设计level shift driver吗？或你的driver的驱动能力够吗？

hehejiuaixiao

原帖由 自找苦吃YNHE 于 2009-9-4 14:15 发表

                               
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mosfet输入电容问题，你有设计level shift driver吗？或你的driver的驱动能力够吗？

那如果是 1A 的负载电流，它所要求的驱动能力大概要多大，也就是说那 反相器的W/L 大概设计为多少比较合适？

love_ic

原帖由 hehejiuaixiao 于 2009-9-4 14:03 发表

                               
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我最近自己搭了个BUCK DCDC电路来仿真，输出电流是 0.5A 左右工艺是 TSMC .35工艺 BUCK中 外用的两个开关用的是库里用模拟HDL写的理想开关，而电路中的其他一些模块，像比较器，运放等等 都是用具体的晶体管搭 ...

我个人认为你的W/L比例是对的，因为这一方面取决你的Rds(ON)，这应该是由市场来给你一些建议和要求。从你的所描述的问题来看，应该有两方面的原因：
1.Driver电路的驱动能力是否和Switch匹配，如果Driver驱动能力不足，系统可能会震荡。
2.Current sensing电路由于扰动引起的误判，这个问题相对复杂一些，只有看了你的电路架构才能给你建议！

自找苦吃YNHE

原帖由 hehejiuaixiao 于 2009-9-4 19:29 发表

                               
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那如果是 1A 的负载电流，它所要求的驱动能力大概要多大，也就是说那 反相器的W/L 大概设计为多少比较合适？

1。driver取多大的w/l，取决于driver子电路的系统参数，即接上你的功率mosfet后的td,tr,tf,这些参数又由buck的系统指标开关损耗（或效率）大小决定。
2。driver的系统参数td,tr,tf与温度，电源电压，工艺角corner,负载（即功率mosfet的输入电容）有关
因此需要通过spice仿真来确定，一般要找到worst case下的td,tr,tf
3。你是搞系统设计还是子电路设计？如果是子电路设计者，td,tr,tf应该有系统设计者告诉你；如果是搞系统设计的，去看书，TI的应用手册不错。



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谢谢楼主分享

chudong

原帖由 自找苦吃YNHE 于 2009-9-4 23:02 发表

                               
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1。driver取多大的w/l，取决于driver子电路的系统参数，即接上你的功率mosfet后的td,tr,tf,这些参数又由buck的系统指标开关损耗（或效率）大小决定。 2。driver的系统参数td,tr,tf与温度，电源电压，工艺角corne ...

感谢楼主分享!!

chudong

原帖由 自找苦吃YNHE 于 2009-9-4 23:02 发表

                               
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1。driver取多大的w/l，取决于driver子电路的系统参数，即接上你的功率mosfet后的td,tr,tf,这些参数又由buck的系统指标开关损耗（或效率）大小决定。 2。driver的系统参数td,tr,tf与温度，电源电压，工艺角corne ...

学习学习,看看!!谢谢自找苦吃YNHE,共享

rengd02

自找苦吃，厉害

mewanlap

我也想学rf gate driving