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DDR的东东太多了,今天就写了一点点,明天接着写。考到里面图和表格都不对了啊,加下附件。 DDR硬件设计要点类型 工作电压 预取数据 片上ODT 最高速率 复位管脚 ZQ校准 点对点的拓朴架构 参考电压分成两个VREFCA和VREFDQ 封装 SDRAM 3.3(LVTTL) 1 无 无 无 无 无 TSOP DDR1 2.5V(SSTL2) 2 无 400 无 无 无 无 TSOP DDR2 1.8V(SSTL18) 4 有 800 无 无 无 无 FBGA DDR3 1.5V 8 有 1666 有 有 有 有 FBGA 1. 电源 DDR的电源可以分为三类: a> 主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可。电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间,单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片,及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大,所以PCB设计时,如果有一个完整的电源平面铺到管脚上,是最理想的状态,并且在电源入口加大电容储能,每个管脚上加一个100nF~10nF的小电容滤波。 b> 参考电源Vref,参考电源Vref要求跟随VDDQ,并且Vref=VDDQ/2,所以可以使用电源芯片提供,也可以采用电阻分压的方式得到。由于Vref一般电流较小,在几个mA~几十mA的数量级,所以用电阻分压的方式,即节约成本,又能在布局上比较灵活,放置的离Vref管脚比较近,紧密的跟随VDDQ电压,所以建议使用此种方式。需要注意分压用的电阻在100~10K均可,需要使用1%精度的电阻。 Vref参考电压的每个管脚上需要加10nF的点容滤波,并且每个分压电阻上也并联一个电容较好,如图所示。
[ 本帖最后由 fishyfishy 于 2009-8-27 22:33 编辑 ] |
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