TSMC.35工艺，功率管宽长比例选取问题

hehejiuaixiao · 发表于 2009-8-6 13:44:27

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N和P得选取比例大概在多少？有些啥选取原则吗？求有经验的人，回答!?谢谢！

[ 本帖最后由 hehejiuaixiao 于 2009-9-14 17:57 编辑 ]

rengd02 · 发表于 2009-8-8 13:58:43

500mA?
very large current!
I want to know the answer, too.

lusheng1028 · 发表于 2009-8-21 03:37:57

用圆包形单元组成，看看每个圆包单元的rdson是多少！

feel100 · 发表于 2009-8-22 20:32:54

我觉得你的问题描述得不准确，准确的说应该是POWER MOS的RDS(on),一般用多少m ohm/mm^2来描述，不同的LAYOUT不一样，可以向TSMC咨询。

N和P得选取比例大概在多少？有些啥选取原则吗？

是得到相同RDS(on) W/L的比例吗？

bardeen · 发表于 2009-8-24 10:51:53

根据specific导通电阻RON(Ω.cm2)来设计器件元胞，得到电流密度J,在根据总电流来决定器件面积大小。

love_ic · 发表于 2009-9-1 10:09:00

原帖由 feel100 于 2009-8-22 20:32 发表

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我觉得你的问题描述得不准确，准确的说应该是POWER MOS的RDS(on),一般用多少m ohm/mm^2来描述，不同的LAYOUT不一样，可以向TSMC咨询。 N和P得选取比例大概在多少？有些啥选取原则吗？是得到相同RDS(on) W/L ...

这个地方的Layout非常关键，建议你效仿一下成熟产品，决定你的L，当然还有些细节，这里不方便说了。然后根据Rds(on)决定你的W。我想N P的比例最好是看一下你产品的应用环境，这个市场的leader应该会给你一个很好的建议。做过Analog switch的人都知道怎么选。

mortezajon · 发表于 2010-9-2 06:27:58

TSMC.35工艺，功率管宽长比例选取问题

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