tsmc 0.35 工艺的带隙基准可以做到多大电压

mixsignal · 发表于 2009-6-13 13:47:04

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我做的只是1.18v的样子，以前做过别的工艺都能达到1.2以上。不知道这个工艺就这样了还是我做错了

guang3000 · 发表于 2009-6-13 15:51:00

个人觉得如果固定n=8的话，就说明TSMC的PNP的VBE的负温度系数较小,这是好事啊。试试按比例减少所有电阻，这样PTAT电流= Vt lnn / R1 变大，VBE的偏置电压也变大些？

shenlu3918 · 发表于 2009-10-23 17:38:14

smic的可以做的1.2多

Error · 发表于 2009-10-23 20:00:06

不是工艺的问题没调对电压稍微有点低

zhongbo1127 · 发表于 2009-10-24 21:18:07

带隙电路输出的电压是可以调节的~~~
嘿嘿

siegfi · 发表于 2009-11-2 18:56:50

這個參考電壓不知道調高調低有什麼用處？？？基本上越低越難設計～～高的還好

silverpuma · 发表于 2009-11-2 21:13:28

如果你用1V的电源，带隙基准就不可能到1.2v了，肯定要小于1v的，所以带隙基准是根据电源电压来决定最终值的。

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