在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
楼主: viag

请问在mim电容下放器件需要注意哪些呢?thanks

[复制链接]
发表于 2009-5-26 14:31:32 | 显示全部楼层
101ddddddddddddd
发表于 2009-5-26 14:34:51 | 显示全部楼层
ddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddd
发表于 2009-5-26 14:39:46 | 显示全部楼层
meiqianle buhaoyisi
发表于 2009-5-26 14:47:45 | 显示全部楼层
buhaoyisimeiqianle  dingqi
发表于 2009-5-26 14:52:12 | 显示全部楼层
dingqi
 楼主| 发表于 2009-5-31 22:17:01 | 显示全部楼层


smic 没有提供,只是说可以放,但是不建议放,怕出问题
不过有个朋友公司一直在下面放器件,除了对noise失配敏感的器件不放
也没有什么特别的考虑
发表于 2009-5-31 23:56:42 | 显示全部楼层
学习中
发表于 2009-6-1 00:02:51 | 显示全部楼层
学习中
发表于 2009-6-1 11:23:45 | 显示全部楼层
如果电容不要求很精确的话,下面放没什么关系。
例如滤波用,MIM+moscap构造大电容。
下面放器件的话,是担心器件对电容的影响?还是担心电容对器件的影响?
从物理结构上来说,主要是mim下极板和下层器件之间的寄生电容,后仿提参数吧。
具体情况要具体分析才行,这样说不清楚。
发表于 2009-11-30 09:45:47 | 显示全部楼层
上面的朋友能发发raphael的资料吗?谢谢!
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-16 22:22 , Processed in 0.021173 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表