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请问在mim电容下放器件需要注意哪些呢?thanks

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发表于 2009-5-12 22:34:53 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问在mim电容下放器件需要注意哪些呢?thanks
我准备用smic .13或tsmc.18 1p6m rf工艺,
需要在mim电容下面放器件来节省面积,
有这么做过的大大讲下需要注意哪方面呢?
谢谢
比如电容匹配性影响,寄生电容影响等
如何精确计算评估这些寄生影响
及后仿如何提取出这些参数影响呢。
发表于 2009-5-13 00:59:48 | 显示全部楼层
说说个人的看法,
1 就mismatch来说,下面的器件影响,例如是否平坦,最好有foundry的数据。
2  shielding是必需的 例如用3M?
3 寄生电容的影响必须要仿真确认,不知道您们有没有2D或者3D的寄生参数计算工具。
 楼主| 发表于 2009-5-14 00:08:31 | 显示全部楼层


原帖由 _Ryu 于 2009-5-13 00:59 发表
说说个人的看法,
1 就mismatch来说,下面的器件影响,例如是否平坦,最好有foundry的数据。
2  shielding是必需的 例如用3M?
3 寄生电容的影响必须要仿真确认,不知道您们有没有2D或者3D的寄生参数计算工具。



哦。3x,可否详细点呢
1.foundry只是说可以放,但是风险大?这个平坦度评估,对mismatch的评估foundry有文档么?
2.恩,shielding是要加的
3.但是加了shielding之后,寄生电容是手动计算么?仿真时因为model里边是没有这方面信息的,后仿不知道怎么加进去,你说的2d,3d寄生参数计算工具指什么工具呢,很准么?
   我们好像只有cadence
发表于 2009-5-14 23:26:43 | 显示全部楼层
>1.foundry只是说可以放,但是风险大?这个平坦度评估,对mismatch的评估foundry有文档么?
foundry一般没有吧。有的话,也只能作参考。可能要做了才知道。我倒是听说有人在下面布电源的。不过,你这太aggresive了

>你说的2d,3d寄生参数计算工具指什么工具呢,很准么?4 N' W( X6 o; Y: h, o/ n
例如synopsys的Raphael.应该还是可以信任的,我想。
 楼主| 发表于 2009-5-17 19:18:16 | 显示全部楼层
中频滤波器,电容太占面积了。
要在下面放器件节省一下面积。
有好多公司是这样做的,但是不知道他们怎么考虑的
发表于 2009-5-17 23:57:50 | 显示全部楼层
wait for profound explanation!
 楼主| 发表于 2009-5-20 23:25:41 | 显示全部楼层
这几天开始准备动工了。认识一个朋友是在mim电容下面放的moscap。。
头像被屏蔽
发表于 2009-5-21 00:22:08 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2009-5-23 18:03:31 | 显示全部楼层
cadence 的assura工具可以抽取2d,3d的寄生电容。你需要foundry提供assura提取后仿参数的文件。
 楼主| 发表于 2009-5-25 21:57:33 | 显示全部楼层


原帖由 fogworld 于 2009-5-23 18:03 发表
cadence 的assura工具可以抽取2d,3d的寄生电容。你需要foundry提供assura提取后仿参数的文件。



哦。3x
我去问一下smic。。
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