复旦大学--《模拟CMOS集成电路设计》课件

jimthn · 发表于 2009-11-18 13:33:59

很不错哦，谢了

hyz · 发表于 2009-11-24 14:59:05

不错的东西，谢谢

xsw111 · 发表于 2009-11-28 00:58:09

看了再说。

xsw111 · 发表于 2009-11-28 01:00:37

不错，谢了。

xsw111 · 发表于 2009-11-28 01:02:20

怎么没有反馈，内容不全？

copytang · 发表于 2009-12-17 17:40:08

thank you for sharing!

wxlu · 发表于 2009-12-18 19:21:55

顶！！！！！

wxlu · 发表于 2009-12-18 19:23:07

顶！！！！！

senlin820 · 发表于 2009-12-18 19:47:12

看看。多谢

nestaa · 发表于 2009-12-19 21:38:19

CMOS工艺流程(附详图）2007-12-15 13:15N阱硅栅CMOS工艺流程

初始氧化

光刻1，刻N阱

N阱形成

Si3N4淀积

光刻2，刻有源区，场区硼离子注入

场氧1

光刻3

场氧2

栅氧化，开启电压调整

多晶硅淀积

光刻4，刻NMOS管硅栅，
磷离子注入形成NMOS管

光刻5，刻PMOS管硅栅，
硼离子注入及推进，形成PMOS管

磷硅玻璃淀积

光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流（图中有误，没刻出孔)

蒸铝、光刻7，刻铝、
光刻8，刻钝化孔
（图中展示的是刻铝后的图形）

复旦大学--《模拟CMOS集成电路设计》课件

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