有没有人遇到过mos管阈值电压反经典的情形？

fangming070105 · 发表于 2009-4-14 21:09:18

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菜鸟在spectre上提取tsmcrf.18库中mos特性参数时，发现：管子宽度保持不变（w=2um）,增大沟道长度（由.18um增到20um,步长0.2um），阈值电压反而越来越低，跟经典短沟效应不符；然后反过来，将长度与宽度调个头，发现长度不变（2um），宽度增加，阈值电压反而增加。不知有没有同仁遇到类似情况，烦请留个言，给个看法。先行谢过，望不吝指教！

fuyibin · 发表于 2009-4-15 09:08:01

原帖由 fangming070105 于 2009-4-14 21:09 发表

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菜鸟在spectre上提取tsmcrf.18库中mos特性参数时，发现：管子宽度保持不变（w=2um）,增大沟道长度（由.18um增到20um,步长0.2um），阈值电压反而越来越低，跟经典短沟效应不符；然后反过来，将长度与宽度调个头，发现 ...

现在的device都是这样的
由于现在器件都是采用halo结构的
不能用原来的理论去解释
原来的理论只是用于原来的结构而以

hgp264721 · 发表于 2009-4-15 18:31:33

短沟道效应啊窄沟道效应涉及纳米电子学

lwjbh · 发表于 2009-4-15 19:32:38

期待全面的回复~~~

zhfhit · 发表于 2009-4-15 20:07:06

貌似比较不正常，还真没有在意过这个问题。希望有人说明了。

touching · 发表于 2009-4-15 20:27:23

什么是Halo结构

egsciio · 发表于 2009-4-16 03:42:59

要举手回答的的朋友，楼下的请接着说哦

以速度慢　逐渐被淘汰　-效率低

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depend135 · 发表于 2009-4-16 09:25:32

前面的那种情形叫反短沟道效应。对于现代的短沟道器件，为了防止源和漏的耗尽层穿通，会在源和漏靠近沟道端重掺杂一点，叫pocket doping，也就是holo结构，于是这个重掺杂的部分在短沟时引起VT的上升，沟长取长，那么这一部分所占的沟道比例变小，于是，沟道的掺杂反而相对减少，VT下降

Young_W · 发表于 2009-4-18 20:20:58

同意楼上的解释

fangming070105 · 发表于 2009-9-9 16:58:30

原帖由 depend135 于 2009-4-16 09:25 发表

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前面的那种情形叫反短沟道效应。对于现代的短沟道器件，为了防止源和漏的耗尽层穿通，会在源和漏靠近沟道端重掺杂一点，叫pocket doping，也就是holo结构，于是这个重掺杂的部分在短沟时引起VT的上升，沟长取长，那么 ...

楼上回答很有道理！

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我也不知道为的什么，老搞不明白呢

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