在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
查看: 2068|回复: 2

求IEEE论文两篇!

[复制链接]
发表于 2009-3-22 21:59:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
Sun S C,Plummer J D.
  "Electron mobility in inversion and accumulation layers on thermally
oxidized silicon suface[J].
"
IEEE Transactions on Electorn Devices,1980,27:1497一1508

AND:

Wang C T. Navon D H.
"Threshold and punchthrough behavior of laterally nonuniformly doped short
channel MOSFET’s[J].
"
IEEE Transactions on Electron Devices,1983,30(7):776


先谢谢了!
发表于 2010-2-28 13:45:33 | 显示全部楼层
ok
发表于 2010-2-28 13:52:06 | 显示全部楼层
okokok

abbr_afd115bebbc4a26b04ccaafcbdd01058.pdf

1.14 MB, 下载次数: 1 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

Electron mobility in inversion and accumulation layers on thermally oxidized silicon suface.pdf

Threshold and punchthrough behavior of laterally nonuniformly doped short.pdf

575.11 KB, 下载次数: 1 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

Threshold and punchthrough behavior of laterally nonuniformly doped short.pdf

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-22 18:26 , Processed in 0.030712 second(s), 10 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表