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EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
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求IEEE论文两篇!

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发表于 2009-3-22 21:59:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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Sun S C,Plummer J D.
  "Electron mobility in inversion and accumulation layers on thermally
oxidized silicon suface[J].
"
IEEE Transactions on Electorn Devices,1980,27:1497一1508

AND:

Wang C T. Navon D H.
"Threshold and punchthrough behavior of laterally nonuniformly doped short
channel MOSFET’s[J].
"
IEEE Transactions on Electron Devices,1983,30(7):776


先谢谢了!
发表于 2010-2-28 13:45:33 | 显示全部楼层
ok
发表于 2010-2-28 13:52:06 | 显示全部楼层
okokok

abbr_afd115bebbc4a26b04ccaafcbdd01058.pdf

1.14 MB, 下载次数: 1 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

Electron mobility in inversion and accumulation layers on thermally oxidized silicon suface.pdf

Threshold and punchthrough behavior of laterally nonuniformly doped short.pdf

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Threshold and punchthrough behavior of laterally nonuniformly doped short.pdf

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