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BCD是一种单片集成工艺技术。1986年由意法半导体（ST）公司率先研制成功，这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS 和DMOS 器件，称为B C D 工艺。
BCD 工艺技术的发展不像标准CMOS 工艺那样，一直遵循Moore 定律向更小线宽、更快的速度方向发展。BCD 工艺朝着三个方向分化发展：高压、高功率、高密度。
BCD工艺集成了Bipolar、CMOS和DMOS器件，综合了高速、强负载驱动能力、集成度高和低功耗的优点，可提高系统性能，具有更好的可靠性。电子产品功能与日俱增，对于电压的变化、电容的保护和电池寿命的延长要求日益重要，而BCD所具备的高速节能的特点满足对高性能模拟/电源管理芯片的工艺需求。华虹NEC总裁刘文韬博士表示，“BCD项目将进一步扩展丰富华虹NEC的工艺线，并且确立公司在模拟/电源管理领域的领先地位。”
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BCD工艺概述.pdf
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BCD集成电路技术的研究与进展.pdf
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A Study on Process Integration of High Voltage BCDMOS IC.pdf
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Study on Process Integration of High-Voltage BCDMOS IC.pdf
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发表于 2008-11-14 18:59:22
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