请教cmos工艺如何做npn管？

xixiyan · 发表于 2008-10-13 12:00:31

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书上讲cmos工艺能做lateral&substrate pnp。
不知npn管能不能做，如果能做是否就算是bicmos工艺了。

andy2000a · 发表于 2008-10-13 14:56:05

hi volt cmos 可能有真的 npn 或許改使用 bi mcos 也可以 .

xixiyan · 发表于 2008-10-13 16:55:18

确实我用的sinomos高压工艺能做npn管，里面做了个类似bipolar工艺的N+埋层，但是该工艺也叫cmos工艺。

我也不知道 · 发表于 2008-10-14 00:16:11

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xixiyan · 发表于 2008-10-15 15:08:39

原帖由 我也不知道 于 2008-10-14 00:16 发表

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按现在执行的标准CMOS工艺是不能做npn的，只能做寄生pnp
实在要做npn，那就得加版，那样应该就不叫标准CMOS工艺了，

thankyou，那就是说能做npn管的cmos工艺是改进的高压cmos工艺，不能称作是bicmos工艺？

windson · 发表于 2008-10-15 15:27:26

如果要做NPN,此CMOS PROCESS需要满足一个条件,即存在一个类似P-WELL的区域,并且此P-WELL要与P-SUB完全隔离

touching · 发表于 2008-10-15 21:13:54

是，只能做寄生的，可以参考拉扎维的书

loudong06 · 发表于 2008-10-15 22:00:42

原帖由 xixiyan 于 2008-10-15 15:08 发表

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thankyou，那就是说能做npn管的cmos工艺是改进的高压cmos工艺，不能称作是bicmos工艺？

也叫CMOS,需要增加一层Pbase层,以Nwell做集电极,Pbase做基极,N+做发射极形成NPN

xiaxiaomingc1 · 发表于 2008-10-16 09:37:12

横向NPN管还是有的，不过横向NPN管的贝塔值太小。

xixiyan · 发表于 2008-10-16 10:23:08

原帖由 loudong06 于 2008-10-15 22:00 发表

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也叫CMOS,需要增加一层Pbase层,以Nwell做集电极,Pbase做基极,N+做发射极形成NPN

那这个nwell不能通过离子注入形成吧，还是得通过埋层的外延生长，否则breakdown电压很小。所以这个nwell与mos的nwell不一定能同一个mask的感觉。

我也不知道我也不知道当前离线积分 75 头像被屏蔽	发表于 2008-10-14 00:16:11 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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