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pmos 和nmos 的W/L比例

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发表于 2008-10-6 23:45:36 | 显示全部楼层 |阅读模式

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按照教科书上将,在设计反相器版图时,pmos 和nmos 的W/L比例应该为2.5:1左右,但实际上看到的一些库,如tanner 的scmos库 及ncsu-cdk内的layout,其nmos和pmos的W/L均为1:1,请高手指点,这样做有何道理,好处和坏处在哪里?
发表于 2008-10-10 10:24:00 | 显示全部楼层
个人愚见:pmos的电流驱动能力很弱,因为当中的多子是空穴,其迁移率只有电子的1/4-1/2左右,所以为了提高pmos的Id必须把W/L增大.一般使用的设计软件给出的都是理想状态,我们还需要靠自己去计算得出最夹答案!
发表于 2008-10-10 16:52:28 | 显示全部楼层
应该是这样的
发表于 2008-10-10 22:12:13 | 显示全部楼层
这个主要看各个逻辑库的,一般情况下是3~4:1
发表于 2008-12-18 10:29:00 | 显示全部楼层
看是哪家的工艺了, 有时候也可能是2:1
发表于 2009-8-13 20:05:13 | 显示全部楼层
2:1或者3:1
比较常见
发表于 2009-8-14 22:39:32 | 显示全部楼层
这个要根据你layout的template决定, 要考虑到版图面积.
正常的inverter 的 P/N 在2.4:1.
如果是clock tree 上的inverter,考虑到占空比的要求可能要在作调整.
发表于 2010-11-21 14:29:16 | 显示全部楼层
哦。原来是这样紫的啊~~
发表于 2010-12-16 03:21:08 | 显示全部楼层
我们老师上课一般是给2:1
发表于 2011-4-17 22:32:40 | 显示全部楼层
smic的0.13大概1.5:1.我也思考过这个问题,不得其解
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