请教：两级运放NMOS和PMOS输入有什么优劣？

standup · 发表于 2008-10-2 16:56:58

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在很多教材和资料上，分析两级运放和差分时，都是只用NMOS做例子，很少用PMOS输入做例子。PMOS输入有什么不同呢？如直流、频率特性等等。
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[ 本帖最后由 standup 于 2008-10-3 00:06 编辑 ]

我也不知道 · 发表于 2008-10-2 18:43:51

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intercon · 发表于 2008-10-3 13:16:54

PMOS作输入可能更多地还是考虑闪烁噪声的原因吧

蓝皮丝瓜 · 发表于 2008-10-3 14:51:04

PMOS管作为输入可以避免输入对管的衬底效应

miao · 发表于 2008-10-3 16:36:20

好象Pmos做为输入级要好一些,一方面1/f噪声小一些,另外感觉两个极点在同样的电流容量下,可以拉地开一些.当然,选用PMOS还是NMOS作为输入级跟输入的直流工作点有关，如果输入共模电压很高，接近Vdd，那只能选择nmos作为输入级

tq01qaz · 发表于 2008-10-3 20:54:28

原帖由 蓝皮丝瓜 于 2008-10-3 14:51 发表

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PMOS管作为输入可以避免输入对管的衬底效应

好像这和工艺有关,不一定PMOS才行.

xiaxiaomingc1 · 发表于 2008-10-6 10:54:56

mao shuo de you dao li

yixiantian · 发表于 2008-10-6 11:10:54

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mark_lhm · 发表于 2008-10-6 11:14:42

噪声和衬底效应都因该是原因。
N_mos的噪声是P_mos的30～40倍（同样的尺寸）。
还有就是P_mos可以解决衬底效应的影响。

[ 本帖最后由 mark_lhm 于 2008-10-6 11:21 编辑 ]

wangot · 发表于 2008-10-6 11:45:15

受教了

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