一般LDO设计中调整管是用普通的PMOS还是ESD的管子?

nesta · 发表于 2008-9-1 13:27:19

调栅注入后 PMOS导通时形成埋沟，沟道不在硅与氧化层界面

flyingwolf · 发表于 2008-9-1 21:40:30

原帖由 zhaoguolll 于 2008-8-25 17:16 发表

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一般LDO设计中调整管是用普通的PMOS还是ESD的管子?
用普通的PMOS会不会存在ESD的问题?

我想你问的问题应该是应该采用ESD式的layout方式还是采用普通的比如说pcell的方式，通常如果在Pin的旁边有充分的ESD保护，那么为了节省die的空间，可以采用普通的layout方法，否则就需要从Device本身考虑ESD的layout方式。
我还看到你下面的一个问题，我想一方面你要保证分配给每个Device contact的电流要满足最大电流要求，另一方面需要你保证上面bus的宽度足够，应用电流密度的概念去layout。
从电路结构上，要设计current limit电路，保证电路安全。
我想layout上有许多技巧可以减少die面积，又可以满足大电流的需要。

guonanxiang · 发表于 2008-9-2 09:59:09

原帖由 multiplus 于 2008-8-28 20:48 发表

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为什么要用Pmos管，N管用跟随形式不行吗？还有就是一般情况下都说PMOS管的噪声小，为何？

NMOS也可以，TI的cap-free LDO的功率管仿佛是用的NMOS，前提是要把NMOS的gate电压boost上去
我觉得从噪声考虑的角度比较少吧，地上的噪声、电容esr产生的噪声、基准的跳动那一个都比器件噪声来的大吧

xiaxiaomingc1 · 发表于 2008-9-2 10:15:47

如果POWER管size比较大，不需要，小的话还是需要ESD的。

zhaoguolll · 发表于 2008-9-2 10:50:11

flyingwolf说的很好，我就是想问这个问题。电源线的电流密度我已经考虑了，为了满足要求，我用几层金属叠在一起走的。
PAD上有ESD，但是还是担心。由于考虑面积的问题，所以画的比较紧凑，当然电流密度都满足要求了，但是这么小的面积
却要流过大的电流，必然产生大量的热量，怎么散热就是个大问题了。

magicdog · 发表于 2008-9-2 13:34:03

原帖由 zhaoguolll 于 2008-9-2 10:50 发表

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flyingwolf说的很好，我就是想问这个问题。电源线的电流密度我已经考虑了，为了满足要求，我用几层金属叠在一起走的。
PAD上有ESD，但是还是担心。由于考虑面积的问题，所以画的比较紧凑，当然电流密度都满足要求了 ...

功耗看你v，I乘积

i过大有过流保护，短路保护

大的dropout voltage一般不用ldo dc-dc后再＋ldo

Moqi · 发表于 2010-11-23 16:50:52

多数是用ESD管做

lixiaojun707 · 发表于 2010-11-23 17:32:44

普通的PMOS管即可，因为本身作为调整管的PMOS尺寸已经足够大耐压已可以满足需要。
如果LAYOUT中，有足够地方的话，可以改用ESD结构的MOS管，相对更可靠！

rocflying · 发表于 2010-12-11 14:44:38

用PMOS管子

wangxiangru · 发表于 2011-9-27 10:03:20

若要做LDO，用NMOS作调整管的话，一定需要双电源供电才可以。PMOS和NMOS做调整管各有优势。

一般LDO设计中调整管是用普通的PMOS还是ESD的管子?

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