在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 7833|回复: 5

场效应管衬底的接法问题

[复制链接]
发表于 2008-8-11 11:25:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
在一般的设计者,管子的衬底都是接源极,但我看有的电路不是接源极,比如N管的衬底直接接地,诸如此类的接法是做什么用呢?一般N管和P管的衬底都有哪些接法?分别有什么作用呢?望赐教!
发表于 2008-8-11 12:24:35 | 显示全部楼层
Bulk can be connected to Source only if there is Nwell or Pwell. If not, it is connected to ground or vcc by default.
发表于 2011-10-31 11:39:53 | 显示全部楼层
学习中。。。
发表于 2011-10-31 12:30:56 | 显示全部楼层
这与工艺相关的吧。对于p衬底单阱工艺,所有的nmos管衬底必须接地,而pmos由于有nwell可以接源级,而对于多阱工艺的话,nmos管、pmos管的衬底端就可以有选择的接源端了。
发表于 2011-10-31 13:26:20 | 显示全部楼层
In theory, for all single well p_sub process (most common), the substrates of all NMOS transistors should be tied to the lowerst potential of your circuit. On the other hand, the substrates of the PMOS transistors are more flexible, they can be either tied to the highest potential of your circuit or be tied to the source.
发表于 2011-10-31 21:12:07 | 显示全部楼层
学习中了
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-23 06:00 , Processed in 0.019510 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表