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楼主: semico_ljj

UC berkeley 45nm 65nm 90nm process model

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发表于 2008-7-29 22:32:54 | 显示全部楼层
另外问一下这种model只能做simulation学习用,谁那里有fab的参数。

    谢了先
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发表于 2008-7-29 22:43:00 | 显示全部楼层
也只能学习用了
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 楼主| 发表于 2008-7-30 12:39:51 | 显示全部楼层
fab 只见过65nm的,45nm的还没有吧!
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 楼主| 发表于 2008-7-30 12:41:17 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2008-7-30 12:44:42 | 显示全部楼层
基本理解了:

TOXE    Electrical gate equivalent oxide thickness

TOXP    Physical gate equivalent oxide thickness

手算可以采用 Toxe
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 楼主| 发表于 2008-7-30 12:45:59 | 显示全部楼层
45nm的Vdd估计只能是0。5~0。6V左右!
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 楼主| 发表于 2008-7-30 18:38:35 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2008-8-15 09:37:27 | 显示全部楼层
zan……
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 楼主| 发表于 2008-9-10 16:58:43 | 显示全部楼层
gold<>
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发表于 2008-11-25 16:45:51 | 显示全部楼层
正需要呢,呵呵,学习一下
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