请教：Vgs should be 30% above the Vth？

refugee · 发表于 2008-7-17 00:37:41

Values around 0.2V are a good compromise between high transconductance and high current

icb · 发表于 2008-7-17 10:27:16

it i good

zaitian80 · 发表于 2008-7-17 10:59:27

原帖由 timesmile 于 2008-7-16 19:57 发表

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如果是想让MOS管工作在线性区，同时取得比较好的线性度，VDSAT多大好一些？

为什么要工作在线形区啊？你仅仅要一个压控电阻吗？
要好的线性度，当然是VDSAT越大越好啊

sinbad · 发表于 2008-7-17 20:38:22

I got it! Thank you all guys!

suneyeslee · 发表于 2008-7-17 20:46:20

原帖由 zaitian80 于 2008-7-17 10:59 发表

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为什么要工作在线形区啊？你仅仅要一个压控电阻吗？
要好的线性度，当然是VDSAT越大越好啊

I suppose what he means is "saturation region".

darkhorselfm · 发表于 2008-7-17 23:20:14

在饱和区，200mV左右是一个很好的数值。

ccp106 · 发表于 2008-7-18 11:49:19

同意5楼的看法

semico_ljj · 发表于 2008-7-18 13:03:53

100mv足以，特别是1。8V一下设计！

StateoftheArt · 发表于 2008-7-19 08:36:51

在工艺条件和性能参数能够满足要求的前提下，一般取200~300mV就能保证你的电路在任何CORNER下都不会有问题了。

原帖由 sinbad 于 2008-7-15 22:47 发表

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From "basic precautions for an analog designer"

lianggu · 发表于 2008-7-20 14:43:49

Paul Gray has answered this question in his book

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