讨论，如何估算运放的OFFSET

semico_ljj

原帖由 zhangbj1980 于 2008-8-3 21:33 发表

                               
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好像Hspice2007不是新增了这个offset功能吗，可以省去蒙特卡罗

有人用过？

jianjing526

以普通0.5umCMOS process为例
tox=14n
W=20um, L=2um, m=2
Vos=0.1*14n/sqrt(20u*2u*2)=0.157mV
157uV的失调，未加任何的措施，可能吗？
这只是理想值，真实的失调CMOS工艺在数个mV到十几个mV之间，monto carlo跑下就知道了

zaitian80

原帖由 jianjing526 于 2008-8-5 16:35 发表

                               
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以普通0.5umCMOS process为例
tox=14n
W=20um, L=2um, m=2
Vos=0.1*14n/sqrt(20u*2u*2)=0.157mV
157uV的失调，未加任何的措施，可能吗？
这只是理想值，真实的失调CMOS工艺在数个mV到十几个mV之间，monto carlo ...

mento carlo工具，要看你的分布参数的，你用的值可能是指非对称性晶圆上物理位置随机分布的器件的失配参数
对于上面的计算中，感觉上m放在分母上与WL一起sqrt与常识不合，m越多，匹配性越好才对
简单说就是40/2 的匹配性应该差于20/2 m=2才对

douya

原帖由 allentel 于 2008-8-4 20:46 发表

                               
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差分输入matching下,一般这么认为

不解。
我们希望各个参数都matching，但失调是由工艺产生的。
不知道你所说的差分输入matching，。。。是什么意思

allentel

原帖由 douya 于 2008-8-6 12:11 发表

                               
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不解。
我们希望各个参数都matching，但失调是由工艺产生的。
不知道你所说的差分输入matching，。。。是什么意思

这里matching是指差分对layout，还要注意等压线、等温线。

另外上面那个公式分子似乎有些问题，Sansen书中给出的公式分子是Avt ~ tox*(Nb)^1/4。

qd0090

xue xi xue xi

woodchopper

原帖由 zaitian80 于 2008-8-6 11:57 发表

                               
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mento carlo工具，要看你的分布参数的，你用的值可能是指非对称性晶圆上物理位置随机分布的器件的失配参数
对于上面的计算中，感觉上m放在分母上与WL一起sqrt与常识不合，m越多，匹配性越好才对
简单说就是40/ ...

我觉得40/2与 20/2 m=2匹配性是一样的。m越多，匹配性越好是在WL不变的情况下。

hzfeiyun

原帖由 woodchopper 于 2008-8-6 17:31 发表

                               
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我觉得40/2与 20/2 m=2匹配性是一样的。m越多，匹配性越好是在WL不变的情况下。

不认同这个观点

xiejz2943

原帖由 jianjing526 于 2008-8-5 16:35 发表

                               
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以普通0.5umCMOS process为例
tox=14n
W=20um, L=2um, m=2
Vos=0.1*14n/sqrt(20u*2u*2)=0.157mV
157uV的失调，未加任何的措施，可能吗？
这只是理想值，真实的失调CMOS工艺在数个mV到十几个mV之间，monto carlo ...

应该将tox=14n转换为tox=140a来算

izhu2008

好像和overdrive voltage也有关系的。