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[求助] 想问问Bump和ESD cell的连接问题

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发表于 3 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 ZRLYF 于 2025-12-25 15:13 编辑

各位佬,我们项目之前是先规划Bump型号,相对于的间距要求、直径等参数就会确定,然后就会规划VDD、VSS、signal的Bump的位置关系,例如两列VDD然后两列VSS交替放置。确定好Bump位置后再确定ESD cell的数量以及位置,ESD往往放在VDD和VSSBump的channel中间。但是一旦后期我们的Bump型号如果要变动,意味着间距要求、直径等也需要变动,则ESD cell也就要变动,那么所有IP都需要重新跑,时间成本就会非常高,想问问大家有没有什么建议,可以将Bump和ESD cell进行解耦(独立开来),我们现在是1P10M,之前ESD是直接原地往上打到AP层,然后AP连接很多个Bump,这样电阻就比较小,能满足0.1Ω的要求;现在我为了解耦进行测试,ESD只从原地往上打到M8(下一个项目是1P9M),然后M8通过core stripe,连core stripe的M8再到corestripe的M9再到AP的话,电阻就直接来到最小0.2Ω了(离ESD cell最近的Bump都是0.2,都不满足0.1Ω的电阻要求)。所以想问问大家有没有什么建议,图中是之前项目的连接示意图
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发表于 1 小时前 | 显示全部楼层
理解能力差,没看懂你想解决什么问题,你说了bump移动,esd cell也要变,其他ip也要动,如果这是必然的结果,那谁也没办法改变,不知道你什么封装,这个bump直接就连到每个pad上的?有没有可能bump下面是铜柱或者其他层次,还有其他封装厂的金属以及polyimide?可能见得少了,总觉得你bump如果动一下,芯片的esd模块就要动,那还是换个封装吧,像你说的,代价太大
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