后端概念扫雷

时间在走人在变

如题，本人是一名BES工程师，刚入职不久，后续要和PD打交道了，但是不太清楚几个概念，特来请教各位大佬：


1）bump
2）filer
3）decap
4）mesh
5）skybridge
6）金属层

prada520

問AI最快~~

Cribug2022

1️⃣ bump（凸点）

属于：封装 / 芯片与封装的连接

本质：芯片与封装基板之间的金属连接点

常见形式：

C4 bump（锡球）

micro-bump（2.5D / 3D 封装）

作用：

把 die 上的电源 / 信号 传到封装

替代传统 wire bond

你在后端看到的：

bump pitch

bump map

power bump / signal bump

👉 一句话：芯片“脚”，只不过是倒装焊的。

2️⃣ filler（fill / metal fill / dummy fill）

属于：物理版图 & 工艺

很多人写成 filer，其实指的是 fill

是什么：

在金属层上人为加的“假金属”

不连电路、只为满足工艺

为什么要加：

保证 CMP 抛光均匀

满足 foundry 的 density rule

改善可靠性（应力、形变）

后端痛点：

fill 太多 → 寄生电容上升

fill 不合理 → IR drop / noise

👉 一句话：为了让晶圆“磨得平”，塞进去的假金属。

3️⃣ decap（去耦电容 / 去耦单元）

属于：供电完整性（PI）

是什么：

贴在电源附近的 本地电容

有 standard cell decap，也有 custom decap

作用：

抑制 瞬态电流波动

减小 电源噪声 / ground bounce

稳定 VDD

常见场景：

clock tree 周围

高切换逻辑块

IO / PHY 附近

👉 一句话：电源旁边的“稳压器”。

4️⃣ mesh（电源网格）

属于：PDN（Power Delivery Network）

是什么：

用多层金属交叉形成的 电源网格

VDD / VSS 分布式供电

为什么不用一根粗线：

降低 IR drop

提高冗余

抗 EM / 单点失效

和 stripe 的区别：

stripe：单向条带

mesh：横纵交叉，网格化

👉 一句话：芯片内部的“高压输电网”。

5️⃣ skybridge（空中桥 / 跨线桥）

属于：高级工艺 / 特殊互连

是什么：

用 额外结构 让一条线**“跨过”另一条**

不占用传统 via / metal routing 资源

用途：

缓解 routing congestion

高频 / 高密度设计

某些先进工艺节点才有

注意：

成本高

工艺限制多

不是所有 foundry 都支持

👉 一句话：金属线的“立交桥”。

6️⃣ 金属层（Metal Layer，Mx）

属于：芯片物理实现的骨架

是什么：

芯片中多层金属互连（M1、M2、…、Mx）

典型分工：

M1–M2：局部信号

中间层：全局信号

顶层：电源 / clock / mesh

节点越先进：

金属层数越多（10+、15+）

pitch 越小

RC 问题越突出

👉 一句话：芯片里的“多层电路板”。