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[求助] 请问大家关于低静态电流设计

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发表于 2022-11-17 10:40:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我们老师出了个作业,要求我们做低静态电流的带隙基准电路,要求是总电流小于5uA,我现在能想到的做法有:倒宽长比器件,这样在饱和区的电流可以做到比较小,但是感觉器件面积太大了不太好;
亚阈值区的器件,但是现在不知道怎么样把器件一直控制在亚阈值区,自己试着仿了一下器件在亚阈值区的条件,感觉在这个区间的Vgs也很小,不知道应该怎么样控制器件一直处于亚阈值区。

想请问一下大家,这两种方法都可行吗?以及做的时候有什么需要注意的呢?
 楼主| 发表于 2022-11-17 10:47:40 | 显示全部楼层

这是我想用的一个结构,不知道要怎么样才能把下面的两个NMOS偏置到亚阈值区
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 楼主| 发表于 2022-11-17 10:48:31 | 显示全部楼层
第1讲-基准源-2022.jpg
这是我想用的一个结构,不知道要怎么样才能把下面的两个NMOS偏置到亚阈值区
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发表于 2022-11-17 14:44:52 | 显示全部楼层
5uA的静态电流不算小,没有非偏置在亚阈值区不可的必要
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发表于 2022-11-17 15:23:09 | 显示全部楼层


   
major948 发表于 2022-11-17 10:48
这是我想用的一个结构,不知道要怎么样才能把下面的两个NMOS偏置到亚阈值区
...


这个也不是带隙基准呀,带隙基准的电流完全是通过电阻决定的,加面积,把电阻弄大就行了
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发表于 2022-11-17 15:34:57 | 显示全部楼层
没有其他性能要求5uA不小了,控制好PTAT电流就行
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