高压BCD工艺ESD咨询

xidianmhp

想问下0.18umBCD工艺中这种ESD管子的工作原理是？这种ESD防护效果如何?

angel

   

hijackerhaha 发表于 2023-12-2 11:38
请教一下下面这句话描述现象的原因是什么？不是非均匀开启的原因吧？

“通常PNP的有效保护只有实际TL ...

我的理解是，高压ESD 器件本身可能很耐抗，It2 Vt2 都很高，但内部保护器件的 BV 有限，内部保护的高压器件BV 对应ESD器件 TLP上的电流值决定了 ESD 可以到多少。

如示例图，若内部器件 BV是 63V，则该 ESD 也就耐 2A。

hijackerhaha

   

fei_SH 发表于 2023-2-7 10:54
LV的PNP通常有微弱的snapback。 这个是40V的PNP，绝大多数的高压PNP是没有snapback的，通常Vt1和Vh重合， ...

请教一下下面这句话描述现象的原因是什么？不是非均匀开启的原因吧？

“通常PNP的有效保护只有实际TLP测试的It2的一半。”

ijunqiu

GGNMOS GIDL trigger Bipolar

franzjoseph

靠面积死扛

神谕_520

EB短接的PNP管子做电源到地的ESD保护，原理和GDPMOS差不多，基本没有Snapback，效果很好

fei_SH

   

u12u34 发表于 2022-8-24 16:42
这种ESD防护结构与GDPMOS类似都是进行雪崩击穿后，三极管导通，形成泄放通道。这种原理的ESD器件的TLP曲线 ...

LV的PNP通常有微弱的snapback。 这个是40V的PNP，绝大多数的高压PNP是没有snapback的，通常Vt1和Vh重合，就是开启后直接往上走，看不到骤回特性。

因此高压的PNP的Vt2一般比较高，使用的时候要充分参考TLP曲线和ESD window。 通常PNP的有效保护只有实际TLP测试的It2的一半。少数开发的特别好的HV PNP可以发挥80%-100%的性能。

fu5673921

和二极管相比，利用PNP的放大作用转移了能量，本质还是一个二极管， 由于没有snap-back, Vt2 一般比较大，面积也很大

linda1518b

這是LPNP, 他不會snapback, 所以很適合放在VDD到GND. 又因為他不會snapback, 所以很好判斷電路操作電壓對應到的ESD It2 (By TLP的話)

u12u34

这种ESD防护结构与GDPMOS类似都是进行雪崩击穿后，三极管导通，形成泄放通道。这种原理的ESD器件的TLP曲线都会有snap-back特性，而这里不用NPN而选取PNP的原因是：NPN的snap-back深一些，会有latch-up风险，尤其是应用在VDD上，所以选用了泄放能力稍差一点的PNP。这种结构作为ESD防护是没问题的，但是具体的防护等级与布局方式与器件结构有关。

ganchunzhao

GGMOS ESD