向大家请教dummy mos 的连接，谢谢！

Chenger_ · 发表于 2019-11-15 11:03:30

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本帖最后由 Chenger_ 于 2019-11-15 15:33 编辑

请问大家：假如dummy管的一端与有用mos管的一端共用了，那么dummy管的另外两端(①栅极G；②未共用的一端)怎么连接？
1.dummy管未共用的一端和栅极一起连接衬底。如图1。
2.dummy管的三端(G、D、S)连在一起。如图2。
那种更好，两种都可以吗？

图1

图2

hglsy · 发表于 2025-7-10 17:52:12

hglsy 发表于 2025-7-10 17:24
第一种过不了ERC吧，smic的要求是dummy gate不能接vdd或gnd呀？会有击穿风险

所以要增加一个tie h和tie l电路就可以用第一种接法了

hglsy · 发表于 2025-7-10 17:24:44

第一种过不了ERC吧，smic的要求是dummy gate不能接vdd或gnd呀？会有击穿风险

我是只小菜坤 · 发表于 2025-5-30 09:18:18

学到了

梦见良人 · 发表于 2025-5-7 09:16:52

liliguo 发表于 2023-11-3 16:05
可以

这种为啥行，好处在哪里，poly间距都不一样，DS又不合并，哪里可以了。

晬婴 · 发表于 2023-12-9 13:25:09

junjie1277 发表于 2019-11-15 14:04
一般mos管可以用第一种，减少match mos的drain端数量，降低寄生；如果是负阈值电压导通的nmos管，最好用第 ...

学到了~

luqx · 发表于 2023-11-21 09:21:50

我都是不合并。

ggaisfy · 发表于 2023-11-20 09:54:32

dafteric 发表于 2019-11-15 16:22
一般都是用第二种吧，第一种会有漏电流。

请问第二种如果衬底电位比三端电位高，是不是也会有漏电流？

赵晓贺 · 发表于 2023-11-10 15:06:53

liliguo 发表于 2023-11-3 16:05
可以

明白了，谢谢

liliguo · 发表于 2023-11-3 16:05:39

赵晓贺发表于 2023-11-2 14:17
哥哥们，有没有就是我的差分对全部共用了，但是我加dummy的时候dummy不共用就放在那，三端接衬底电位，这样 ...

可以

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