关于MOS管的ro的问题

九段演员不是梦 · 发表于 2016-7-6 17:20:21

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MOS管的ro是在拉扎维书中是在MOS小信号模型这一讲提出的，在MOS管模型中，沟道长度调制效应可以由电阻ro表示。ro=əVds/ əID，推出ro约等于1/λID。这个电阻作为输出阻抗影响着放大器的增益。

在推导中ro是Vds对Id求导得到的，是在小信号下推导得到的。

想问一下这个电阻是仅仅作为一个小信号模型电阻用来计算放大器的增益还是一个真实的输出阻抗。在直流和不同的频率下这个阻抗都是不变的么？

不知道有没有人理解我的意思。。。

imefox · 发表于 2024-8-7 14:38:31

这个阻抗就是小信号输出阻抗，如果忽略沟长调制，那么此时只剩一个gmV1电流源，输出阻抗近似无穷了。高频下的阻抗就是把寄生电容带进来的阻抗，为ro和1/sC的并联。

陈曦瑜 · 发表于 2024-7-14 10:00:38

lkj950726 发表于 2021-8-12 14:21
你可以画一个mos管vds对于对应id的曲线，mos管的直流阻抗是原点和工作点连接的直线，是一个很有限的值；但 ...

工艺越先进，沟长越短，所以沟道电阻就越低，沟长调制效应越明显id vs VDS曲线饱和区斜率越大。沟道电阻跟沟长成正比。

lkj950726 · 发表于 2021-8-12 14:21:03

你可以画一个mos管vds对于对应id的曲线，mos管的直流阻抗是原点和工作点连接的直线，是一个很有限的值；但是交流阻抗就是这个点的切线，如果没有沟道调制效应，这个切线的值应该是无穷大。

AstonMartin · 发表于 2021-8-11 11:15:23

应该是等效阻抗，在高频时会变化的

joker_pyy · 发表于 2021-4-28 16:57:05

s.zhang 发表于 2016-7-7 17:57
1. 直流电的时候，如果ＶＤＳ　是一定的时候，　又哪来的求导呢？　这种情况该不要考虑。
２.　应该只是小 ...

问在反相器中 nmos与pmos只能看到一个阻值怎么将两个管子阻值调到一样大小

hfwangxf · 发表于 2016-7-9 10:35:24

回复 7# s.zhang

100k级别也太笼统了吧，现在65nm工艺的能上10k就很大了

Golden_Hawk · 发表于 2016-7-9 08:01:04

ro就是mos管沟道的阻抗，随着栅极电压的变化而变化。
当进行large signal分析的时候，mos管作为开关使用，ro很小不考虑。
当进行small signal分析的时候，要考虑ro的影响。

s.zhang · 发表于 2016-7-8 18:05:32

回复 8# 九段演员不是梦

当你画等效电路的时候，基本上你在分析小型号了。（除非你在做 POWER AMPLIFIER）

九段演员不是梦 · 发表于 2016-7-8 08:43:54

回复 7# s.zhang

您说的我是赞同的，但是就举个例子，在拉扎维的212/213页，电压反馈可以减小输出阻抗。假设在图8.19中使用一个电阻RL作为输出端的负载。在开环结构中，就是把图中的反馈去掉的时候，输出将简单的按RL/(RL+Rout)比例分压。它这句话的意思是直流电平被分压，还是交流小信号电压被分压还是二者都会被分压呢？它这个输出阻抗Rout指的仅仅是对小信号的Rout么？

图8.19

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