bandgap电阻比例和BJT比例问题

Luxuchang

带隙

各位N人，小弟前不久开始做带隙基准，疑问多多，还望各位指点迷津，分享一下流片经验！！！

已知：上图是我所做电路的简化图，运放直接用理想vcvs（gain=10000）代替，假设R2/R1=m，Q2/Q1=n;先不考虑失调，那么：VREF=|VBE2|+VTln(mn)(1+R2/R3)，然后，我人为的使m=10，n=14，再通过仿真微调R3的值，温度范围在-40~125℃时，温漂系数我暂时调到了10.14ppm/℃，P管流过的PTAT电流为14uA。


问题：后来我先定PTAT电流为10uA，分别比较了（m值不变）和（m值改变）的ppm大小，发现会些较明显差异。


那么R2/R1的比例以及阻值是多少为好，有哪些依据？而且Q1和Q2应该是多少比例为好，原因又是什么？

境泽言香

   

jianbinma 发表于 2021-4-8 15:51
我有个问题，为什么delta Vbe一般都通过m=8和m=1的BJT来产生，原理上两个同样大小的BJT，让其中一个的Ic是 ...

因为匹配，单个的八倍面积匹配效果不如个数的匹配性好

jianbinma

我有个问题，为什么delta Vbe一般都通过m=8和m=1的BJT来产生，原理上两个同样大小的BJT，让其中一个的Ic是另一个的8倍一样可以得到相同的delat Vbe，为什么没人用？ 绝大多数都约定俗成的用m=8和m=1的BJT呢？有什么讲究？

asdmnbvc

   

lwjee 发表于 2015-10-14 17:00
M不能去太大的，Opamp Offset电压到输出的比例随M增加而增加。

OP的失调电压和M值有什么关系呢？
我认为是M值在计算公式里是以ln(M )的形式出现的，M值变成2倍，ln值也只是增大一点点，所以增大M值是不合算的。

cmfjxga

回复 15# Luxuchang


   BJT也有很多种，选用面积大的那一种。流过MOS的电流镜设置在2uA差不多了就。I*R+VBE=1.2V，自己算吧。
BANDGAP主要耗电都是在运放上面的

Luxuchang

回复 14# daisy_san


  我被要求设为10u，现在正在想仿真方案，BJT定为1:8，电阻的话不知道是先定R3还是R1

Luxuchang

回复 12# cmfjxga

恩恩，谢谢您分享的一些经验。现在主要问题是怎么仿真更有效？比如R1，R2，R3都是10/2的尺寸，P管电流10u，那么为了使温漂达到最小，怎么进行扫描仿真呢？

daisy_san

问一下，支路电流如何确定呢？通常我都是设10uA，功耗小时也设过5uA。

sam12321mas

回复 9# Luxuchang


    我个人基本都用1:8，主要基于版图设计（layout）的对称性角度来考虑的，方便摆成一个正方形，1:14感觉也是可以的，主要看你版图设计的要求（如下图）。
一般是把这个比例定下来然后对电阻的值进行粗略的计算，然后再调schematic里面电路transistor的尺寸

cmfjxga

一般Q区面积较大的那种BJT，Q1 2的比例按照1:8或者其他最后摆成正方形的比例取值。然后看看VBE的温度系数，对应电阻的比例m值可以通过计算算出来。然后就是想想怎么设置电阻的连接方式达到一个小数的值，比如m=10.5