请教 双极型IC设计与MOS IC设计

chengjiao

MOS IC设计中可以修改W/L来改变管子性能

那么在bioplar设计中是通过修改什么来达到改变器件性能的目的？


还有MOS 管与bioplar的本质区别是什么？

lylnk

双极只能通过电流来控制吧？

chengjiao

回复 2# lylnk


    在设计时 要设计改变哪几个参数呢？

MOS管是 W 和 L。

lylnk

双极的gm和Io是和Ic直接相关的。我觉得改变Ic可以控制双极管子。

fuyibin

   

MOS IC设计中可以修改W/L来改变管子性能

那么在bioplar设计中是通过修改什么来达到改变器件性能的目的？ ...
chengjiao 发表于 2010-12-14 08:39

                               
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设计发射极面积啊

lylnk

   

设计发射极面积啊
fuyibin 发表于 2010-12-14 10:13

                               
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发射极面积的大小不能改变gm和ro，对增益影响不大。
发射极面积影响的是电流镜比例，vbe的绝对值和delta vbe。

fuyibin

   

发射极面积的大小不能改变gm和ro，对增益影响不大。
发射极面积影响的是电流镜比例，vbe的绝对值和d ...
lylnk 发表于 2010-12-14 17:58

                               
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bipolar不是表面结构器件,是纵向为主的器件,当然也有横向管
纵向结构不是电路设计能决定的，包括发射区掺杂浓度，基区掺杂浓度，发射区基区掺杂比，基区宽度，集电区浓度和宽度等
影响bipolar的beta，ro，vbe，ft，break down voltage等
所以做bipolar设计和CMOS的不太一样，按照PDK中提供的device来做，想设计gm就改变电流，想改变vbe就设计电流密度

chengjiao

大家说的还是没看明白。没有做过bioplar的设计，不知在cadence的model中修改哪几个参数来改变gm？