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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › ONC25 0.25 μm 工艺技术

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[讨论] ONC25 0.25 μm 工艺技术

发表于 2013-12-3 14:00:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 peterlin2010 于 2013-12-3 14:06 编辑

OnSemi 有在做代工????
http://www.onsemi.cn/PowerSolutions/content.do?id=16558

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PS5LV 製程
0.8um PS5LV process

ONC25製程
http://www.onsemi.cn/PowerSolutions/content.do?id=16680

门氧化物电压：2.5、3.3、5.0 V
2至5层金属
顶层金属可选厚度：1.0、1.5、3.0 μm
金属-绝缘体-金属(MIM)电容：1.0 fF/μm2，位于顶层金属之下
肖特基二极管(计划提供)
齐纳二极管：5.15、5.5、6.2及7.4 V
高薄膜(sheet)电阻(1.5 kW)多晶硅电阻
低温度系数多晶硅电阻
硅化物工艺，带可选阻断(optional blocking)
深N阱用于P阱隔离及NPN，还可在数字模块中用作低N阱以优化封装密度

	掩膜层数量
单门，2层金属	16
双门，2层金属	22
单门，5层金属	22
双门，5层金属	28

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