存储芯片异常与外围电路的问题

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本人初入模拟ic一年多，是个行业小白，最近碰到一个很奇怪的问题，芯片内部有两个一模一样的存储模块，这俩个存储模块在版图上位于外围电路的左边，现在在测试的时候发现右边一个存储模块（远离外围电路的）是正常的，而左边的存储模块（靠近外围电路的）两个端口直接存在直接的耦合漏电，现象为给某一个端口（栅极）供电，另一个端口（源漏短接）如果存在对地通路的话，就会有漏电流，即使不存在对地通路，该端口也会存在一个相应的电压，然而在理论上来说应该这个（源漏短接的）端口都应该是0v，做了一些测试之后发现只有这两个端口之间存在耦合。而且该端口（栅极）经过单独测试，并没有漏电流现象，也就是说没有栅极损坏。版图上这两个端口的esd也距离很远，

因此实在是不知道为什么会出现这种现象，请各位大佬给在下一点想法。谢谢大家

目前猜测就是，在版图上，存储模块部分与外围电路部分之间缺少了一部分GR导致的，但也只是纯猜测。

版图示意图如下，中间红色竖线为缺少的GR，而且经过EMMI等失效性分析，在这个两个有耦合的端口之间任一端口给电压，在外围电路中都会有相应的电流产生，但就是不知到是如何产生的，比较头疼

                               
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