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[求助] LC-tank VCO 电容阵列开关管无效

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发表于 昨天 21:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请大佬答疑解惑,mos管为N管,设置宽长比大约为5:1,用1、2这种结构不管C1即控制端为高电平(VDD=1.2)还是低电平,电容均不能算入谐振腔,就是不管C1怎么变,接入的电容对电路整体振荡频率没有改变,找了很多开关管的例子和论文都不知道这种情况是为什么发生,希望能够帮帮忙,感谢!

开关管形式1

开关管形式1

开关管形式2

开关管形式2

VCO结构

VCO结构
发表于 昨天 22:14 | 显示全部楼层
建议你看清楚一般的离散电容结构,第一种结构按照你的画法,高低电平电容两端都接地,你应该漏了一个反相器在里面吧。第二个结构当C1高电平时接入正常,但是当C1变成低电平后,你两侧电容的节点完全浮空了,电位无法确定,建议再加一组上拉管,应该可以解决问题。参考图如下
Snipaste_2025-05-13_22-13-01.png
Snipaste_2025-05-13_22-13-14.png
 楼主| 发表于 6 小时前 | 显示全部楼层


qhy11111 发表于 2025-5-13 22:14
建议你看清楚一般的离散电容结构,第一种结构按照你的画法,高低电平电容两端都接地,你应该漏了一个反相器 ...


您好!感谢指导,我还有几个问题想请教:
1.如果把我开关管形式一的连接两个电阻的端口改为C1n(C1反相)是否就没问题了?修改后测试好像还是没用,是否是由于开关管参数的问题?

2.我按您发的例图2也进行了测试,发现同样无法进行频率影响。综合1.2是否是因为开关管引入串联电容Cds导致并联电容过小?
3.按照您发的例图1测试中,在C1高低电平测试中,也是没有影响,其中NMOS参数如图所示,PMOS参数是100n 1u。

综合三个不同的测试,我怀疑是否是因为Cds导致的问题?在MOS管控制电容阵列的情况下,Cds是否会被算入并联的串联电容中呢?

例图2仿真

例图2仿真

修改后测试

修改后测试

开关管参数

开关管参数

C1高电平

C1高电平

C1低电平

C1低电平
发表于 6 小时前 | 显示全部楼层
mmmmmmm
 楼主| 发表于 2 小时前 | 显示全部楼层
好像解决了…在修改后测试的那张图里,把nmos管各改为宽长比250:1后就能够实现开关了,但是会引入较大的相位噪声,这点仍需要进行优化,请问大家有什么优化的建议吗?非常感谢

貌似确实是mos管开关的问题,但具体原因是否是由于Cds导致的不太清楚,还需要大佬讲解一下
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