Sentaurus TCAD仿真问题求教

starkwork · 发表于 2025-4-16 08:56:45

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我们trench MOS 想仿真Ti和Si反应生成Tisilicide，想观察这个Tisilicide对器件有什么影响：

1. 不考虑Tisilicide的应力，对阈值和输出特性曲线有什么影响
2. 考虑Tisilicide形成后，体积收缩，产生应力，对对阈值和输出特性曲线有什么影响

请问分别需要调用什么模型，模型目的是什么

另外在Sprocess的仿真过程中，观察到Tisilicide形成后，通常oxide的boundary发生移动，同时发生严重的畸变，按理说物理上应该不应该有严重的畸变，应该产生的是应力吧，这个仿真上要怎么调整呢

chg19950523 · 发表于前天 22:44

您好，请问您解决了吗？我也想仿真Co Silicide 应力对电特性的影响

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