关于三极管区工作的mos管做电阻的问题

无专文加油努力 · 发表于 2025-3-31 20:07:47

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

求助大佬们，这样mos管并联做电阻的原理没有看懂，尤其是图1的公式没推出来。我只能看出，与原始的差分对的公式比较，带源退化的公式是用Vid/S代替Vid得到的，但是不知道为什么？这种mos管做电阻的结构也第一次见

图1前面那段的翻译如下，跟公式的关系不大：线性化OTA传输特性的一种简单而流行的技术是使用电阻器的源极退化法[5]；然而，它存在一些缺点，如面积大、可调性消除和跨导损耗。因此，电阻器被工作在三极管区域的MOS晶体管所取代。使用匹配的源极负反馈晶体管（M3,4,33,44），可以实现相对较高的跨导。图2描述了在之前的拓扑中向晶体管源极添加额外的晶体管。两种技术的组合导致更好的线性，因为三次谐波项被衰减；此外，输入电压范围增大。该电路的传输特性可以写为