请教一下，三通道TIA后仿比单通道的带宽降低了，是隔离没做好吗，还是什么原因？

MISU · 发表于 2025-1-9 11:05:50

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请教一下，三通道TIA后仿比单通道的带宽降低了，是隔离没做好吗，还是什么原因？
单独一个仿-3dB带宽≈10.87MHz 三个放在一起仿，-3dB带宽≈8.5MHz

-3dB带宽≈10.87MHz

MISU · 发表于 2025-1-10 17:14:57

这个经过检查可能是由于耦合电容过大导致的，单通道仿真出来地线的耦合电容有10p，第二大的一根线的耦合电容达到5p，这个是正常的吗，如果需要减小，应该怎么处理呢？

应该不存在金属面积太大或者过度交叉的问题

LGP · 发表于 2025-1-9 11:43:32

三个通道拉远一点再仿真，一步步逼近，看是不是隔离的问题

MISU · 发表于 2025-1-9 14:53:04

LGP 发表于 2025-1-9 11:43
三个通道拉远一点再仿真，一步步逼近，看是不是隔离的问题

谢谢回复，之前三个通道离得很近，上面这个图是拉开了的仿真出来的结果也是降低了的，达不到单通道的结果

cherry_li · 发表于 2025-1-9 16:27:50

电源地都是独立的还是共用的啊？共用的话会不会是IR_drop 导致的？三个放在一起仿是三个都降低了还是只是其中靠边缘的一个？肉眼看边缘因为ESD ring的关系上下两个RC肯定是和中间的不一样的.

MISU · 发表于 2025-1-10 14:38:55

cherry_li 发表于 2025-1-9 16:27
电源地都是独立的还是共用的啊？共用的话会不会是IR_drop 导致的？三个放在一起仿是三个都降低了还是只是其 ...

电源地都是独立给的，
三个都降低了，趋势也接近一样，
另外提取的东西如下图，仿真图也帮忙一起看看
是不是耦合电容所导致的，为什么只提R+C带宽会变高呢？最终想要的是后仿>10MHz

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