关于mismatch和process的蒙特卡洛MC仿真

NSCAZ

主要有两个疑问点，诚心请教各位前辈

1.mismatch和process的区别到底是什么样的，我目前的理解是：mismatch是指一块芯片里面的device2device的差异。而process是指芯片之间的差异，比如die2die，wafer2wafer，batch2batch等等。

2.我使用ADE Exploer 进行mc仿真的时候，virtuoso只能仿真process的变化，结果正常，但似乎无法读取mismatch相关的信息，只要变量选择mismatch，仿真点全部落在一条竖线上，这是怎么回事？是不是我用的模型文件有问题？

Adam_ht

你是smic？smic好像确实只能process

Vawell

mismatch是同一颗die上，device to device的区别
process corner代表不同wafer之间的corner差异。

仿真要看到mismatch，首先你得有mismatch model，model中对vth之类的参数做高斯函数的正态分布。要验证就先放两个mos管，同样bias条件下看参数有没有区别能不能出来正态分布

NSCAZ

Vawell 发表于 2024-12-25 09:53
mismatch是同一颗die上，device to device的区别
process corner代表不同wafer之间的corner差异。

明白了，谢谢大佬

NSCAZ

Adam_ht 发表于 2024-12-25 09:44
你是smic？smic好像确实只能process

我用的华虹的，原本模型文件里面确实没有mismatch的东西，我自己手动添加的，估计问题就在这里。

现在我打算用tsmc.18rf的试试