有关nnt类型的MOS管的PSUB layer

枭枭

请问一下，nnt类型的MOS管的背栅是外延层还是会有另外的掺杂做PWELL呢？在DR中我看了一下，剖面图显示的，nnt的背栅是外延，是不是就是这样呢？nnt的MOS上的“PSUB”这一层到底是什么意思呢？欢迎大家讨论。

acrofoxAgain

nn一般指的是native n，就是本征n，叫native，就意味着不做沟道注入。在画版时，肯定为了器件类型识别方便加一些辅助层，但是最后masktooling之后制版的层里，nn这个地方的沟道注入都是没有的。

jinpeng.li

acrofoxAgain 发表于 2024-12-24 09:00
nn一般指的是native n，就是本征n，叫native，就意味着不做沟道注入。在画版时，肯定为了器件类型识别方便 ...

正解

枭枭

acrofoxAgain 发表于 2024-12-24 09:00
nn一般指的是native n，就是本征n，叫native，就意味着不做沟道注入。在画版时，肯定为了器件类型识别方便 ...

你好，如果这里的本征是具有真正含义的，也就是本征硅，，那就说明，当nnt做在p外延上的时候，还需要有N注入，平衡P外延，N注入使得nnt的背栅的载流子浓度与本征硅相当。如果有”将背栅调整为本征“这个步骤，，那么nnt的MOS需要注意WPE也就说的通了。。感谢大佬的回复。

acrofoxAgain

枭枭 发表于 2024-12-24 20:22
你好，如果这里的本征是具有真正含义的，也就是本征硅，，那就说明，当nnt做在p外延上的时候，还需要有N ...

靠P/N互补出来的不叫本征硅，本征硅是指没掺杂的。只是在MOS工艺中不会有真正的本征硅，只是没有注入的最接近本征硅。它的好处不只是阈值低，要降低阈值，可以杂质补偿补偿。本征管少阈值调节注入的另一个好处是，因为少了杂质，噪声特性更好。这个是靠杂质补偿达不到的。

枭枭

acrofoxAgain 发表于 2024-12-24 20:34
靠P/N互补出来的不叫本征硅，本征硅是指没掺杂的。只是在MOS工艺中不会有真正的本征硅，只是没有注入的最 ...

那nnt的背栅有没有N注入调整那一步呢？那Native的意思体现在哪了呢？还有就是WPE，，，头大，，可以解惑一下吗？谢谢。

枭枭

枭枭 发表于 2024-12-24 21:12
那nnt的背栅有没有N注入调整那一步呢？那Native的意思体现在哪了呢？还有就是WPE，，，头大，，可以解惑 ...

白天我也看了DM文件了，nnt的Vsat的确要比一般NMOS的Vsat小的多。