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楼主: Riching

[求助] 运放的增益和预估偏差较大的问题

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发表于 昨天 16:19 | 显示全部楼层
当电源电压升高时,DC point中的rout已经不可信了,这个时候的rout可以通过扫描mos管I-V曲线求导分之一得到。电源电压越高,实际的rout越小,越接近于ron
发表于 昨天 17:34 | 显示全部楼层
Vds压差大,漏电大,小信号输出阻抗已经大于输出管子的1/gdb了,这时的输出阻抗是1/gdb,不是gm*ro或者共源共栅的gm*ro*gm*ro
 楼主| 发表于 昨天 18:11 | 显示全部楼层


baliga 发表于 2024-12-4 16:19
当电源电压升高时,DC point中的rout已经不可信了,这个时候的rout可以通过扫描mos管I-V曲线求导分之一得到 ...


那是用MOS的端口电流求导吗,我有根据前面朋友的建议仿真单个MOS管,当VDS很大时,mos端口电流求导的ro会小于DC point里的rout挺多。我现在猜测软件进行stb仿真计算时在VDS较大时对mos的rout模型是用端口电流求导取倒数得到的,而不是用ids求导取倒数。不过这个猜测不好验证,一方面看不到mos的仿真模型,一方面如果想在运放里对一个mos的I-V求导不知道怎么操作
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