射频/毫米波集成电路设计后仿真寄生参数提取怎么做？

胖飞虫

最近看相关毕业论文，射频/毫米波集成电路设计后仿真，有的是不对有源器件做PEX寄生参数提取，只对无源器件进行EM仿真获得s参数，然后联仿；

有的是对有源器件进行寄生参数提取，并与无源器件的EM仿真的s参数联仿。两种哪个更接近实际流片呢？

此外对有源器件进行寄生参数提取，并与无源器件的EM仿真的s参数联仿，这种后仿真方式如何界定，版图的哪部分属于无源，哪部分属于有源呢？

第一幅图所属的文章Pad部分算在有源提参的部分

而另一篇文章（第2幅图）的EM仿真却包含Pad

happylly

第一篇文章它提取的部分也是无源啊，只不过有源电路附近的走线也提进去了，这样提取出来的S参数可以直接与PDK里带RF model的晶体管连接，不需要对有源部分再做寄生提取
第二篇文章它是把有源管+周围走线用pex等工具提的寄生，其余无源部分用HFSS提

胖飞虫

happylly 发表于 2024-11-14 19:02
第一篇文章它提取的部分也是无源啊，只不过有源电路附近的走线也提进去了，这样提取出来的S参数可以直接与P ...

感谢你的回答，但是你回答里面第一篇的（有源电路附近的走线）和第二篇的（+周围走线）感觉二者其实没区别。

我的疑问是，怎么界定有源部分和无源部分呢？


有源器件附近的走线——大概要多近呢？因为即使是有源器件附近的走线在高频下也会有一定的寄生电感，可不可以极端一下只把有源器件挖去然后对版图做EM（毕竟EM仿真包含了所有寄生），这样只有有源器件本身也不用做PEX了。

happylly

胖飞虫 发表于 2024-11-14 19:32
感谢你的回答，但是你回答里面第一篇的（有源电路附近的走线）和第二篇的（+周围走线）感觉二者其实没区 ...

我理解的第一篇的做法就是这样的，有源区附近的走线全部用em抽取，如果有源管是rf模型，那有源管自身的走线寄生都已经考虑进去了，不需要pex