目前在学习栅压自举开关，参考拉扎维论文，想知道这个结构在smic18工艺下能实现...

纯新手

参考的论文如下：

论文中采用的是40nm工艺，我用的是smic18mmrf，现在在1GHz采样频率下能实现ENOB大于10bit，THD3=65db，这时管子W/L相对已经很大了，有没有做过这个电路的佬分享一下这个结构能不能用180nm下实现论文中的5GHz采样频率下的指标。感谢
电路结构如下：

纯新手

Razavi, Behzad. (2021). The Design of a Bootstrapped Sampling Circuit [The Analog Mind]. IEEE Solid-State Circuits Magazine. 13. 7-12. 10.1109/mssc.2020.3036143

纯新手

Razavi, Behzad. (2021). The Design of a Bootstrapped Sampling Circuit [The Analog Mind]. IEEE Solid-State Circuits Magazine. 13. 7-12. 10.1109/mssc.2020.3036143.

Adam_ht

可以的，tsmc180，smic没试过