layout打孔

疯狂画家

对于一排mos管我想把栅极全连在一起，间距比较近，可以通过打一排孔（GT_M1）来连接吗然后再铺一层M1，想知道这种是不是比poly连接要好，还有就是再连一层M1有必要吗？个人感觉没什么必要，还是说要把上下间距拉开走M1比较好，画的是bias电路，求大佬解惑

王玉

不知道你是什么工艺，如果要是大工艺是可以，poly是可以连起来走线的。如果要是28以下的话，首先你的gate全部连起来都不符合drc，其次是一般都不用poly走线，因为小工艺会有很多层的metal，poly的阻抗也比较大。 一般的的gate连接方式就是在每个管子的gate打满ct，然后用metal1连接起来，在通过m1往上连。

疯狂画家

王玉 发表于 2024-7-19 09:35
不知道你是什么工艺，如果要是大工艺是可以，poly是可以连起来走线的。如果要是28以下的话，首先你的gate全 ...

smic40工艺，DRC为什么通不过，就是图中这种，不同排离的远的还是用金属连

GoingtoStudy

你这样不如直接一根poly拉过去连接不是更方便吗，按你的只在边缘打孔连接，M1本质上是断开的，加了其实没有意义。栅极反正也不走电流不用考虑通流和poly阻抗这些问题。
个人想法，均匀打孔考虑的应该是晶体管的开启，M1建立电场的同时可以均匀的通过通孔给poly栅极加压，开启的时间会相对一致，只打一边的话会有一定程度先来后到

王玉

疯狂画家 发表于 2024-7-19 10:00
smic40工艺，DRC为什么通不过，就是图中这种，不同排离的远的还是用金属连
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工艺不一样，drc 不一样的懂不，就例如28和55不同的区别就是core管的方向， 28及其一下core管只能是竖直方向，55及其以上core管没有要求。

疯狂画家

GoingtoStudy 发表于 2024-7-19 10:16
你这样不如直接一根poly拉过去连接不是更方便吗，按你的只在边缘打孔连接，M1本质上是断开的，加了其实没有 ...

谢谢大佬分享，的确没考虑过一边加压的影响，因为靠的比较近所以想直接打一排孔，因为相同器件有几排，所以在上下两侧打孔然后M1相连的

疯狂画家

王玉 发表于 2024-7-19 10:33
工艺不一样，drc 不一样的懂不，就例如28和55不同的区别就是core管的方向， 28及其一下core管只能是竖直 ...

好的谢谢解答

이지은

poly连接一排没问题，但你bias的gate最后肯定是要接出去的，最好铺满GT_M1，毕竟栅阻很大

疯狂画家

이지은 发表于 2024-7-19 11:34
poly连接一排没问题，但你bias的gate最后肯定是要接出去的，最好铺满GT_M1，毕竟栅阻很大 ...

好的好的，谢谢解答·

ljh065216

tsmc22n是不许pol横着连成一行的