在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 771|回复: 9

[求助] 几个DRC报错求助!

[复制链接]
发表于 2024-7-11 12:04:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
有几个DRC报错看不明白,特来求助一下大家

PDK使用的是tsmc 28nm,目前需求是画的一个block 不是整个芯片,目前知道dummy那些可以不用管
但是这几个报错在画最基本的反相器也会报错,但是实在不知道是啥意思,点击报错的地方不是像最后图上一样是整个栅极圈起来,就是一整个电路外面一圈高亮。

微信图片_20240711120310.png
微信图片_20240711120343.png
发表于 2024-7-11 14:15:11 | 显示全部楼层
其实drc报的看不懂的可以在design rule里找到图解的
发表于 2024-7-11 14:31:57 | 显示全部楼层
2、需要po dummy,注意width 。3、需要第二个po dummy,注意width。4、注意po间距。5、注意PM层,补些PM
发表于 2024-7-11 14:54:45 | 显示全部楼层
用PDK调一个pmos或nmos。两边需要poly dum的,DRC错就没有了。
 楼主| 发表于 2024-7-11 15:02:10 | 显示全部楼层


yguvyg 发表于 2024-7-11 14:15
其实drc报的看不懂的可以在design rule里找到图解的


之前有看过,但还是个别没有图示的,然后还有一些比较抽象
 楼主| 发表于 2024-7-11 15:18:54 | 显示全部楼层


haydnzhang 发表于 2024-7-11 14:54
用PDK调一个pmos或nmos。两边需要poly dum的,DRC错就没有了。


感谢感谢,原来我调用的这个就是有的,但是我没打开这个dummy选项。
另外请问一下这个错误是不是在block级可以忽略的呀,我看这里说的是IP级库忽略,但不确定是不是和我理解的是一样的。

PO.R.19 { @ Floating gate is prohibited if the effective source/drain are not connected together. Floating gate in the DRC is as follows: (1) GATE without Poly CO (2) GATE with Poly CO but not connected to MOS OD, STRAP or PAD. (3) It is not a floating gate if the GATE is connected to OD by butted CO in SRAM bit cell. The effective source/drain in DRC is as follows: (1)Source/drain is connected to different {MOSOD NOT PO}, STRAP, Gate, or PAD. This rule is only checked on the whole chip, not on the IP level   
  (Float_GATE_check INTERACT NSDu > 1 BY NET) NOT INSIDE SRAM_WAIVE_N28
  (Float_GATE_check INTERACT PSDu > 1 BY NET) NOT INSIDE SRAM_WAIVE_N28
}


 楼主| 发表于 2024-7-11 15:19:39 | 显示全部楼层


别刀 发表于 2024-7-11 14:31
2、需要po dummy,注意width 。3、需要第二个po dummy,注意width。4、注意po间距。5、注意PM层,补些PM ...


感谢!这几个都解决了。(*^▽^*)
发表于 2024-7-11 15:21:09 | 显示全部楼层
要学会使用BOUNDARY cell
发表于 2024-7-11 15:34:05 | 显示全部楼层
block,IP也要过drc.
这个小尺寸如是单独使用。两边一定要加poly DUM。
如:inv nand等。一片mos n=? ,放完mos两边要加poly DUM.
好的办法是看之前的版本。
 楼主| 发表于 2024-7-11 15:52:59 | 显示全部楼层


haydnzhang 发表于 2024-7-11 15:34
block,IP也要过drc.
这个小尺寸如是单独使用。两边一定要加poly DUM。
如:inv nand等。一片mos n=? ,放完m ...


就是比如NMOS摆放完之后,在最左边的NMOS放下面图片上的两个,然后最右边的NMOS放这Right的两个,然后中间的NMOS就left和Right的都不用嘛。
不过还有个更好奇能不能忽略的是上面回复您的PO.R.19这个浮动栅极的错误,这个我看着也好抽象

Thanks♪(・ω・)ノ

                               
登录/注册后可看大图

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-27 12:10 , Processed in 0.025731 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表