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查看: 598|回复: 5

[求助] SMIC0.18um的SRAM在virtuoso中LVS报错

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发表于 2024-3-1 16:06:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近晚辈向代理要到了0.18um的sram的memory compiler,生成了一个single port的sram,并将其gds导入到virtuoso当中打算验证LVS,netlist为一并生成出来的.net文件,随后LVS报错如第一次LVS图所示

第一次LVS的incorrect net

第一次LVS的incorrect net

第一次LVS的incorrect instance

第一次LVS的incorrect instance


根据报告出来的问题,猜测是NDIO18这个器件或者名称大小写有问题,于是乎首先修改LVS规则文件,将#DEFINE CASE_SENSITIVITY 设置为TRUE,重新LVS后,incorrect instance出现不一样的报错

第二次LVS的incorrect instance

第二次LVS的incorrect instance

因此尝试修改sram的netlist文件,将netlist文件开头的equiv字段取消注释,设置成这样

*.EQUIV n18  = N18
*.EQUIV p18  = P18
*.EQUIV pdio18 = PDIO18
*.EQUIV ndio18 = NDIO18

随后重新LVS,且仍然报错,,与最初的LVS结果相比,仍然是missing instance,但是器件名称从大写变为小写。
随后也尝试在LVS OPTION中将关于DIODE的device option设置unused,但是结果并没有发生变化.
这个LVS问题困扰了我很久,理论上而言代理给到的memory compiler不会出问题,并且也没对版图作出任何修改,希望各位前辈高人能够指点一下晚辈,感激不尽!!!

发表于 2024-3-1 17:11:00 | 显示全部楼层
大小写问题lvs 文件里面 LVS COMPARE CASE NO
 楼主| 发表于 2024-3-1 19:36:36 | 显示全部楼层


wesley_wan 发表于 2024-3-1 17:11
大小写问题lvs 文件里面 LVS COMPARE CASE NO


感谢前辈的解答,可是好像不行,我将LVS文件中的这段话




#IFDEF CASE_SENSITIVITY TRUE
LAYOUT CASE YES
SOURCE CASE YES
LVS COMPARE CASE YES
#ENDIF



YES和NO排列组合共8种情况都试了一遍都不行,仍是一样的报错
发表于 2024-3-4 14:26:10 | 显示全部楼层
看你一开始的lvs报告,你是不是应该把LVS optinons里面的和NEG相关的Filter勾一下试试
 楼主| 发表于 2024-3-5 21:53:49 | 显示全部楼层


haoshiyang 发表于 2024-3-4 14:26
看你一开始的lvs报告,你是不是应该把LVS optinons里面的和NEG相关的Filter勾一下试试 ...


感谢前辈解答,与NEG相关的LVS Option中主要是由resistor,capacitor和diode的pin float或者tied,这些都按您说尝试过勾选或分别勾选了,但是还不行,报错仍是一样的
发表于 2024-3-6 10:23:21 | 显示全部楼层
CASE_SENSITIVITY TRUE
#IFDEF CASE_SENSITIVITY TRUE
LAYOUT CASE YES
SOURCE CASE YES
LVS COMPARE CASE YES
#ENDIF
或者是改cdl 应该可以解决大小写的问题,
如果大小写一直还是没有匹配上可以考虑是不是其他问题,比如尺寸错误,电源等短路问题。
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