smic BCD90nm 工艺求助

Andyou · 发表于 2023-8-4 09:18:07

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

有没有前辈做过smic90nm BCD工艺的I/O，有没有特别需要注意的rule 特别的层？rundrc lvs 有没有需要留意的Option 以及优化方案。希望有经验的前辈能给点建议。

李幕白 · 发表于 2023-8-4 09:27:22

如果你参考Fab给的IO的话，它大概率是CUP（chip under pad），可以自行设计，把I/O的驱动电路及ESD部分与PAD分离开。特别注意的RULE就是latch up的rule。还需要注意整个I/O的pitch及边缘设计

Chou1874 · 发表于 2023-8-4 10:02:27

没做过SMIC的BCD，但是做过T家的，高压应该都差不多，建议你把接IO的模块连上PAD跑一下DRC，小心latch up和ESD的一些错误。

Andyou · 发表于 2023-8-4 10:11:35

李幕白发表于 2023-8-4 09:27
如果你参考Fab给的IO的话，它大概率是CUP（chip under pad），可以自行设计，把I/O的驱动电路及ESD部分与PA ...

感谢不吝赐教。latch up的rule已经查到了。有没有一些更细节的东西要注意比如io之间的拼接可以共用最外圈的pring吗？（之前画的非bcd的io是这样处理的）

Andyou · 发表于 2023-8-4 10:17:08

Chou1874 发表于 2023-8-4 10:02
没做过SMIC的BCD，但是做过T家的，高压应该都差不多，建议你把接IO的模块连上PAD跑一下DRC，小心latch up和 ...

感谢答疑目前还处在准备阶段来寻下山，望下风，看看有什么要注意的，画的时候能少走弯路

李幕白 · 发表于 2023-8-4 10:28:01

Andyou 发表于 2023-8-4 10:11
感谢不吝赐教。latch up的rule已经查到了。有没有一些更细节的东西要注意比如io之间的拼接可以共用最外 ...

边缘设计的目的就是便于拼接，一切从简化的目的就是边缘简单不用Filler去拼接。一般在边缘的RING都是衬底，可以随便拼接。重要的肯定都在中心

[求助] smic BCD90nm 工艺求助