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楼主: Cx_1221

[求助] RDAC的DNL与INL后仿性能较差

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发表于 2024-10-31 14:16:20 | 显示全部楼层
作者有手动算过DNL吗?我同样的参数设置,calculator里的DNL函数算出的DNL和我手动算的差很大,不知道为什么
发表于 2025-3-28 17:44:51 | 显示全部楼层


Cx_1221 发表于 2023-4-13 13:54
RDAC的输出是VDAC,先仿真DC,得出VDAC的数值,然后在calculator的公式里面找到DNL、INL,设置如上;我也 ...


为什么同样设置,我的就不出图呢
发表于 2025-5-13 16:44:27 | 显示全部楼层


Cx_1221 发表于 2023-4-14 19:53
解决了,是layout的一个出PIN的问题


电路图仿真还要考虑线长吗。会对仿真造成影响?
发表于 2025-5-13 17:26:01 | 显示全部楼层


Ecooq 发表于 2025-5-13 16:44
电路图仿真还要考虑线长吗。会对仿真造成影响?


是后仿有问题,layout里面连线的影响
发表于 2025-5-13 17:45:27 | 显示全部楼层
会不会出在开关上,排查下抽头连接处的打孔。另外你全部用NMOS做开关?高压 低压会有Ron的差异,占比太大的话影响线性度
 楼主| 发表于 昨天 19:34 | 显示全部楼层


rhett583 发表于 2025-5-13 17:45
会不会出在开关上,排查下抽头连接处的打孔。另外你全部用NMOS做开关?高压 低压会有Ron的差异,占比太大的 ...


学习了,感谢感谢!请问一下您提到的高低压NMOS的Ron会有差异。高低压指的是RDAC输出电压不同时,每个开关的导通的阻抗不一样吗?这个问题我还真没有想到,对于开关的导通阻抗我是取了大概为电阻的十分之一。但无法解决你提出的这个问题,如果需要优化线性度,要解决开关阻抗变化的问题。请问前辈您有什么想法吗,谢谢?
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