在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1110|回复: 4

[求助] 1.8V IO可靠性求助

[复制链接]
发表于 2023-3-14 09:00:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
求助懂制造及失效原理的牛人,如果1.8V IO NMOS工作条件是:VG=3.3V, VS=VD=1.5V, VB=0V,这种情况会有TDDB或者PBTI导致器件失效问题么?
发表于 2023-5-16 21:25:41 | 显示全部楼层
这个可能会有有TDDB 风险,需要看Fab TDDB window有多大,可以让Fab厂推算下
发表于 2023-7-22 00:02:40 | 显示全部楼层
这个肯定会有问题呢,猜测你用的是28工艺,正常3.3V IO可以通过2.5V平台OD到3.3V,仅供参考哈。
发表于 2023-7-26 10:56:01 | 显示全部楼层
没有风险。放心使用。
发表于 2023-7-27 16:27:27 | 显示全部楼层
1.8V IO, 看起来应该是28工艺或者更低的节点,这个Vg超压,PBTI和TDDB 应该都会失效。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-23 20:18 , Processed in 0.020073 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表